paagutatud ränikarbiidi tehnoloogia

Ränikarbiidkeraamikat kasutatakse üha laialdasemalt tänu selle suurepärasele tugevusele kõrgel temperatuuril, kulumiskindlusele, korrosioonikindlusele ja termilise šoki vastupidavusele. SiC-keraamikal on materjalide valdkonnas üha olulisem roll. Seetõttu on hädavajalik viia läbi täiendavaid uuringuid SiC-materjalide valdkonnas, et vähendada tootmiskulusid, lihtsustada tootmisprotsesse ja edendada SiC-keraamikatoodete arendamist, parandades samal ajal pidevalt nende suurepäraseid omadusi.

Paagutatud ränikarbiidi peetakse SiC paagutamiseks kõige paljulubavamaks meetodiks. Atmosfäärilise paagutamise protsessi abil on võimalik valmistada suuremõõtmelist ja keerulise kujuga ränikarbiidkeraamikat. Ameerika Ühendriikide ettevõte GE Corporation on võtnud kasutusele järgmised meetmed: β – boori ja süsiniku lisamine SiC-sse, paagutamine üle 2000 ℃ inertses keskkonnas ning tihedusega üle 98% paagutatud ränikarbiidi saamine temperatuuril 2020 ℃. Kasutades paagutusabiainetena Y₂O₃ ja Al₂O₃ ning madala sulamistemperatuuriga YAG-i (Y₃Al₅O₁₂) põhikomponendina, Hiina Teaduste Akadeemia Shanghai Silikaatinstituut põletas ränikarbiidkeraamikat, mille paindetugevus ja murdumiskindlus olid vastavalt 707 ja 10,7 temperatuuril 1850 ℃. Shandongi Silikaadi Uurimis- ja Disainiinstituudi teadlane Liu Baoying lisas paagutuslisanditena sobiva koguse Al₂O₃ ja Y₂O₃ ning valmistas 1780 ℃ juures suhtelise tihedusega 97% peeneid SiC-komposiitkeraamilisi materjale , kasutades injektsioonvormimise protsessi, mis vastab mehaaniliste tihendite ja kulumiskindlate keraamikatoodete tööstusliku tootmise nõuetele. Siiani ei ole paagutatud ränikarbiidi alased uuringud aga olnud eriti põhjalikud, mistõttu neid tuleb veelgi süvendada.