teknik för sintrad kiselkarbid

kiselkarbidkeramik används mer och mer allmänt på grund av deras utmärkta högtemperaturhållfasthet, slitstyrka, korrosionsbeständighet och motståndskraft mot termisk chock. SiC-keramik spelar en allt viktigare roll inom materialområdet. Därför är det angeläget att bedriva ytterligare forskning om SiC-material för att minska produktionskostnaderna, förenkla produktionsprocesserna och främja utvecklingen av SiC-keramiska produkter samtidigt som deras utmärkta egenskaper kontinuerligt förbättras.

Sintrad kiselkarbid anses vara den mest lovande sintringsmetoden för sintring av SiC. Kiselkarbidkeramik med stor storlek och komplex form kan framställas genom atmosfärisk sintringsprocess. GE Corporation i Förenta staterna har vidtagit följande åtgärder β - Tillsättning av bor och kol i SiC, sintring vid över 2000 ℃ i inert atmosfär och erhållande av sintrad kiselkarbid med densitet högre än 98% vid 2020 ℃. Med Y2O3 och Al2O3 som sintringshjälpmedel och YAG (Y3Al5O12) med låg smältpunkt som baskomponent avfyrade Shanghai Institute of Silicate, Chinese Academy of Sciences kiselkarbidkeramik med böjhållfasthet och brottseghet på 707 respektive 10,7 vid 1850 ℃. Liu Baoying från Shandong Silicate Research and Design Institute tillsatte lämplig mängd Al2O3 och Y2O3 som sintringstillsatser och gjorde fina SiC-kompositkeramiska material med en relativ densitet på 97% vid 1780 ℃ genom att använda injekteringsgjutningsprocessen, som kan tillgodose behoven för industriell produktion av mekaniska tätningar och slitstark keramik. Men hittills är forskningen om sintrad kiselkarbid inte särskilt grundlig, vilket måste fördjupas ytterligare.