SiCセラミックスの曲げ強度は、再結晶炭化ケイ素セラミックスの2倍、窒化ケイ素ボンド炭化ケイ素セラミックスの約1.5倍です。

炭化ケイ素セラミックは、反応接合と焼結の2つの方法で形成されます。各形成方法は、最終的な微細構造に大きく影響します。