C- ja B₄C-elemente paagutusabiainetena sisaldava ränikarbiidkeraamika paagutamine toimub tahkfaasi paagutamisena ning paagutusprotsessi juhib peamiselt difusioonimehhanism, kusjuures optimaalne paagutustemperatuur on…
SiC on kovalentselt seotud ühend, milles Si-C vahel on tugev side, millel on teemantstruktuur ja millel on 75 kristallvormi. Selle võre põhiline struktuurielement on kovalentselt seotud [SiC₄] ja [CSi₄] tetraeedrid…
Ränikarbiidkeraamikat kasutatakse üha laialdasemalt tänu selle suurepärasele tugevusele kõrgel temperatuuril, kulumiskindlusele, korrosioonikindlusele ja termilise šoki vastupidavusele. SiC-keraamikal on üha olulisem roll valdkonnas…
Tootjad otsivad energiatõhusamaid mootoreid ja soovivad asendada olulisi metalle. Need eesmärgid andsid tõuke erinevate keraamiliste materjalide ja protsesside väljatöötamisele. Reaktsioonisidestatud ränikarbiid on nende uuringute tulemus. Reaktsioonisidestatud…
English
Arabic
Bulgarian
Czech
Danish
German
Greek
Spanish
Finnish
French
Hungarian
Indonesian
Italian
Japanese
Korean
Lithuanian
Norwegian
Dutch
Polish
Portuguese (Portugal)
Portuguese (Brazil)
Romanian
Russian
Slovak
Slovenian
Swedish
Turkish
Ukrainian
Chinese
Albanian
Armenian
Azerbaijani
Bosnian
Catalan
Croatian
Estonian