يتم تشكيل المواد الخام الخشنة ومساحيق SiC الناعمة، تحت حماية درجة حرارة عالية وضغط معين، يتم إعادة بلورتها عن طريق التلبيد بالفراغ، عن طريق تبخير مساحيق SiC الناعمة والتخثر في جزيئات SiC الخشنة، ثم نقوم بتبخير جزيئات SiC الخشنة...