![Спосіб формування кераміки з карбіду кремнію](https://siliconcarbide.net/wp-content/uploads/2013/10/reaction-bonded-silicon-carbide-ceramic-186x186.jpg)
Кераміка з карбіду кремнію формується двома способами: реакційним зв'язуванням і спіканням. Кожен метод формування значно впливає на кінцеву мікроструктуру.
Кераміка на основі карбіду кремнію з реакційним зв'язком (RBSIC або SISIC) виготовляється шляхом інфільтрації компактів із сумішей SiC і вуглецю з рідким кремнієм. Кремній реагує з вуглецем, утворюючи більше SiC, який зв'язує початкові частинки SiC.
Спечена кераміка з карбіду кремнію (SSiC) виготовляється з чистого порошку SiC за допомогою неокисних агломераторів. Використовуються звичайні процеси формування кераміки, і матеріал спікається в інертній атмосфері при температурі до 2000ºC або вище.
Обидві форми карбіду кремнію (SiC) мають високу зносостійкість і хороші механічні властивості, в тому числі стійкість до високих температур і термічних ударів.