![Formningssätt för kiselkarbidkeramik](https://siliconcarbide.net/wp-content/uploads/2013/10/reaction-bonded-silicon-carbide-ceramic-186x186.jpg)
Kiselkarbidkeramik formas på två sätt, reaktionsbindning och sintring. Varje formningsmetod påverkar i hög grad den slutliga mikrostrukturen.
Reaktionsbunden kiselkarbidkeramik (RBSIC eller SISIC) tillverkas genom att kompakter av blandningar av SiC och kol infiltreras med flytande kisel. Kislet reagerar med kolet och bildar mer SiC som binder samman de ursprungliga SiC-partiklarna.
Sintrad kiselkarbidkeramik (SSiC) tillverkas av rent SiC-pulver med sintringshjälpmedel som inte är oxider. Konventionella keramiska formningsprocesser används och materialet sintras i en inert atmosfär vid temperaturer upp till 2000ºC eller högre.
Båda formerna av kiselkarbid (SiC) är mycket slitstarka med goda mekaniska egenskaper, inklusive hållfasthet vid höga temperaturer och motståndskraft mot termisk chock.