Kiselkarbidkeramik formas på två sätt, reaktionsbindning och sintring. Varje formningsmetod påverkar i hög grad den slutliga mikrostrukturen.
Reaktionsbunden kiselkarbidkeramik (RBSIC eller SISIC) tillverkas genom att kompakter av blandningar av SiC och kol infiltreras med flytande kisel. Kislet reagerar med kolet och bildar mer SiC som binder samman de ursprungliga SiC-partiklarna.
Sintrad kiselkarbidkeramik (SSiC) tillverkas av rent SiC-pulver med sintringshjälpmedel som inte är oxider. Konventionella keramiska formningsprocesser används och materialet sintras i en inert atmosfär vid temperaturer upp till 2000ºC eller högre.
Båda formerna av kiselkarbid (SiC) är mycket slitstarka med goda mekaniska egenskaper, inklusive hållfasthet vid höga temperaturer och motståndskraft mot termisk chock.
Swedish 
English 
Arabic 
Bulgarian 
Czech 
Danish 
German 
Greek 
Spanish 
Finnish 
French 
Hungarian 
Indonesian 
Italian 
Japanese 
Korean 
Lithuanian 
Norwegian 
Dutch 
Polish 
Portuguese (Portugal) 
Portuguese (Brazil) 
Romanian 
Russian 
Slovak 
Slovenian 
Turkish 
Ukrainian 
Chinese