Breztla\u010dno sintran silicijev karbid velja za najbolj obetavnega sintranega silicijevega karbida, s postopkom breztla\u010dnega sintranja pa je mogo\u010de pripraviti kompleksne oblike in velike velikosti keramike iz silicijevega karbida. Glede na mehanizem sintranja lahko to vrsto sintranega silicijevega karbida nadalje razdelimo na sintranje v trdni fazi in sintranje v teko\u010di fazi. \u03b2-SiC, ki vsebuje sledove SiO, se lahko sintra pri atmosferskem tlaku z dodajanjem B in C. Ta metoda znatno izbolj\u0161a kinetiko sintranja silicijevega karbida. B, dopiran z ustrezno koli\u010dino B, se med sintranjem nahaja na mejah zrn SiC in delno tvori trdno raztopino s SiC ter tako zmanj\u0161a energijo na mejah zrn SiC. Dopiranje zmerne koli\u010dine prostega C je koristno za sintranje v trdni fazi, ker je povr\u0161ina SiC obi\u010dajno oksidirana z majhno koli\u010dino generacije SiO, dodatek zmerne koli\u010dine C pa pomaga, da se film SiO na povr\u0161ini SiC zmanj\u0161a in odstrani, s \u010dimer se pove\u010da povr\u0161inska energija. Vendar pa bo imelo sintranje v teko\u010di fazi negativen u\u010dinek, ker bo C reagiral z oksidnimi dodatki in ustvaril plin, kar bo povzro\u010dilo nastanek velikega \u0161tevila odprtin v kerami\u010dnem sintranem telesu in vplivalo na proces zgo\u0161\u010devanja. \u010cistost, finost in fazna sestava surovine so zelo pomembni v procesu sintranja silicijevega karbida.S.Proehazka je sintral silicijev karbid z gostoto, ve\u010djo od 98%, pri 2020 \u00b0C pod atmosferskim tlakom, tako da je ultrafinemu prahu \u03b2-SiC (ki vsebuje manj kot 2% kisika) hkrati dodal ustrezne koli\u010dine B in C. Vendar sistem SiC-B-C spada v kategorijo sintranja v trdni fazi, ki zahteva visoko temperaturo sintranja in nizko lomno \u017eilavost, na\u010din lomljenja je tipi\u010den lom skozi kristal, groba zrna in slaba enakomernost. Tuje raziskave na podro\u010dju SiC se osredoto\u010dajo predvsem na sintranje v teko\u010di fazi, tj. z dolo\u010denim \u0161tevilom dodatkov za sintranje, pri ni\u017eji temperaturi, da se dose\u017ee zgo\u0161\u010devanje SiC. Pri sintranju SiC v teko\u010di fazi se temperatura sintranja v primerjavi s sintranjem v trdni fazi ne le zni\u017ea, temve\u010d se izbolj\u0161a tudi mikrostruktura, zato se lastnosti sintranega telesa izbolj\u0161ajo v primerjavi z lastnostmi sintranega telesa v trdni fazi.
\nM. Omori in drugi so za gosto sintranje SiC uporabili okside redkih zemelj, pome\u0161ane z AlO ali boridi. Suzuki pa je sintral SiC samo z AlO kot dodatkom pri pribli\u017eno 2000 \u00b0C. A. Mulla in drugi so sintrali 0,5 \u03bcm \u03b2-SiC (z majhno koli\u010dino SiO na povr\u0161ini delcev) z AlO in YO kot dodatki pri ,1850-1950 \u00b0C in dobili relativno gostoto keramike SiC, ki je bila ve\u010dja od 95% teoreti\u010dne gostote, zrna pa so bila drobna, s povpre\u010dno velikostjo 1,5 \u03bcm.
\nMikrostruktura keramike iz silicijevega karbida ima groba zrna in pali\u010dasto strukturo z dobro lomno \u017eilavostjo. Pali\u010dasta zrna pove\u010dajo lomno \u017eilavost, hkrati pa zmanj\u0161ajo trdnost keramike iz silicijevega karbida. Da bi dosegli bolj\u0161o trdnost in \u017eilavost ter hkrati zni\u017eali temperaturo sintranja, so bili opravljeni \u0161tevilni poskusi za izbolj\u0161anje lastnosti tega sintranega silicijevega karbida s prilagajanjem sestave steklene faze z razli\u010dnimi dodatki. Med postopkom sintranja sta uvedba teko\u010de faze na meji zrn in edinstvena medfazna struktura povzro\u010dila oslabitev medfazne strukture, lom materiala pa se je spremenil v popoln na\u010din loma vzdol\u017e kristala, kar je znatno pove\u010dalo trdnost in \u017eilavost materiala. Ker pa uporaba dodatka AlO ustvarja steklasto fazo z nizkim tali\u0161\u010dem in visoko hlapnostjo, ki pri vi\u0161jih temperaturah mo\u010dno hlapi, kar povzro\u010da izgubo mase materiala in negativno vpliva na zgo\u0161\u010devanje materiala, je treba ustrezno pove\u010dati masni dele\u017e AlO v dodatku.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Pressureless sintered silicon carbide is considered to be the most promising sintered silicon carbide, and complex shapes and large sizes of silicon carbide ceramics can be prepared by the pressureless sintering process. Depending on the sintering mechanism, this kind of sintered silicon carbide can be further divided into solid-phase sintering and liquid-phase sintering. \u03b2-SiC containing […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-578","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=578"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":579,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions\/579"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=578"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=578"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/sl\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=578"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}