Структура и кристаллизация SiC

SiC - ковалентно связанное соединение с сильной связью между Si-C, имеет алмазную структуру и насчитывает 75 кристаллических форм. Основной структурной единицей его решетки является ковалентно связанная тетраэдрическая координация [SiC4] и [CSi4], причем эти тетраэдры собираются в плоские слои с общими гранями, а слои Эти тетраэдры собираются в плоские слои с общими гранями, а одна из вершин в слое соединяется со следующим уложенным тетраэдром, так что четыре тетраэдра соединяются в каждом углу для удовлетворения тетракоординации в любой точке сформированного остова. Различные кристаллические формы кристаллов SiC образуются путем укладки одинаковых слоев Si-C, но в разном порядке. Основными кристаллическими формами являются 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC и 15R-SiC. Символы C, H и R обозначают кубическую, гексагональную и ромбоэдрическую гексаэдрическую структуры, соответственно, а цифры перед C, H и R - количество слоев с повторяющимися циклами вдоль оси c. Наиболее важными из этих типов кристаллов являются α-SiC и β-SiC: первый представляет собой высокотемпературную стабильную структуру, а второй - низкотемпературную стабильную структуру. Переход от β-SiC к α-SiC начинается при 2100°C и быстро происходит при 2400°C. SiC не имеет точки плавления и имеет температуру разложения 2830°C при давлении 0,1 МПа.
для керамики из карбида кремния, элементарная ячейка в кристаллической структуре SiC состоит из одинаковых тетраэдров Si-C с атомом Si в центре, окруженным атомами C. Все структуры состоят из [SiC4] тетраэдров, сложенных в стопку, различающихся только тем, связаны ли они параллельно или антипараллельно. Чистый SiC бесцветен и прозрачен, обычно он черный из-за примесей, а зеленый SiC может быть получен при удалении остаточного C перед спеканием.