Керамический карбид кремния формируется двумя способами - реакционным связыванием и спеканием. Каждый способ формирования значительно влияет на конечную микроструктуру.
Керамика из карбида кремния с реакционной связью (RBSIC или SISIC) изготавливается путем инфильтрации компактов из смесей SiC и углерода жидким кремнием. Кремний вступает в реакцию с углеродом, образуя больше SiC, который связывает исходные частицы SiC.
Спеченная керамика из карбида кремния (SSiC) производится из чистого порошка SiC с неоксидными добавками для спекания. При этом используются обычные процессы формования керамики, а материал спекается в инертной атмосфере при температуре до 2000ºC и выше.
Обе формы карбида кремния (SiC) обладают высокой износостойкостью и хорошими механическими свойствами, включая прочность при высоких температурах и устойчивость к тепловым ударам.