O carboneto de sil\u00edcio sinterizado sem press\u00e3o \u00e9 considerado o carboneto de sil\u00edcio sinterizado mais prometedor, e podem ser preparadas cer\u00e2micas de carboneto de sil\u00edcio de formas complexas e de grandes dimens\u00f5es atrav\u00e9s do processo de sinteriza\u00e7\u00e3o sem press\u00e3o. Dependendo do mecanismo de sinteriza\u00e7\u00e3o, este tipo de carboneto de sil\u00edcio sinterizado pode ainda ser dividido em sinteriza\u00e7\u00e3o em fase s\u00f3lida e sinteriza\u00e7\u00e3o em fase l\u00edquida. O \u03b2-SiC que cont\u00e9m quantidades vestigiais de SiO pode ser sinterizado \u00e0 press\u00e3o atmosf\u00e9rica atrav\u00e9s da adi\u00e7\u00e3o de B e C. Este m\u00e9todo melhora significativamente a cin\u00e9tica de sinteriza\u00e7\u00e3o do carboneto de sil\u00edcio. Dopado com uma quantidade adequada de B, o B encontra-se nos limites dos gr\u00e3os de SiC durante a sinteriza\u00e7\u00e3o e forma parcialmente uma solu\u00e7\u00e3o s\u00f3lida com o SiC, reduzindo assim a energia dos limites dos gr\u00e3os de SiC. A dopagem de uma quantidade moderada de C livre \u00e9 ben\u00e9fica para a sinteriza\u00e7\u00e3o em fase s\u00f3lida porque a superf\u00edcie do SiC \u00e9 normalmente oxidada com uma pequena quantidade de gera\u00e7\u00e3o de SiO, e a adi\u00e7\u00e3o de uma quantidade moderada de C ajuda a reduzir e remover a pel\u00edcula de SiO na superf\u00edcie do SiC, aumentando assim a energia da superf\u00edcie. No entanto, a sinteriza\u00e7\u00e3o em fase l\u00edquida ter\u00e1 um efeito negativo, porque o C reagir\u00e1 com os aditivos de \u00f3xido para gerar g\u00e1s, a forma\u00e7\u00e3o de um grande n\u00famero de aberturas no corpo de sinteriza\u00e7\u00e3o da cer\u00e2mica, afectando o processo de densifica\u00e7\u00e3o. A pureza, finura e composi\u00e7\u00e3o de fase da mat\u00e9ria-prima s\u00e3o muito importantes no processo de sinteriza\u00e7\u00e3o do carboneto de sil\u00edcio.S.Proehazka sinterizou o carboneto de sil\u00edcio sinterizado com uma densidade superior a 98% a 2020\u00b0C sob press\u00e3o atmosf\u00e9rica, adicionando quantidades adequadas de B e C simultaneamente a p\u00f3s \u03b2-SiC ultrafinos (contendo menos de 2% de oxig\u00e9nio). No entanto, o sistema SiC-B-C pertence \u00e0 categoria de sinteriza\u00e7\u00e3o em fase s\u00f3lida, que requer uma temperatura de sinteriza\u00e7\u00e3o elevada, e baixa resist\u00eancia \u00e0 fratura, o modo de fratura \u00e9 uma fratura t\u00edpica atrav\u00e9s do cristal, gr\u00e3os grosseiros e fraca uniformidade. O foco da investiga\u00e7\u00e3o estrangeira sobre o SiC concentra-se principalmente na sinteriza\u00e7\u00e3o em fase l\u00edquida, ou seja, um certo n\u00famero de aditivos de sinteriza\u00e7\u00e3o, a uma temperatura mais baixa para obter a densifica\u00e7\u00e3o do SiC. A sinteriza\u00e7\u00e3o em fase l\u00edquida do SiC n\u00e3o s\u00f3 reduz a temperatura de sinteriza\u00e7\u00e3o em rela\u00e7\u00e3o \u00e0 sinteriza\u00e7\u00e3o em fase s\u00f3lida, mas tamb\u00e9m melhora a microestrutura, e assim as propriedades do corpo sinterizado s\u00e3o melhoradas em compara\u00e7\u00e3o com as do corpo sinterizado em fase s\u00f3lida.
\nM. Omori et al. utilizaram \u00f3xidos de terras raras misturados com AlO ou boretos para sinterizar densamente o SiC. Suzuki, por outro lado, sinterizou SiC apenas com AlO como aditivo a cerca de 2000\u00b0C. A. Mulla et al. sinterizaram 0,5 \u03bcm \u03b2-SiC (com uma pequena quantidade de SiO na superf\u00edcie das part\u00edculas) com AlO e YO como aditivos a ,1850-1950\u00b0C, e obtiveram uma densidade relativa de cer\u00e2micas de SiC que era superior a 95% da densidade te\u00f3rica, e os gr\u00e3os eram finos, com um tamanho m\u00e9dio de 1,5 \u03bc m.
\nVerificou-se que a microestrutura da cer\u00e2mica de carboneto de sil\u00edcio tem gr\u00e3os grosseiros e uma estrutura em forma de bast\u00e3o com boa resist\u00eancia \u00e0 fratura. Os gr\u00e3os em forma de bastonete aumentam a resist\u00eancia \u00e0 fratura enquanto diminuem a resist\u00eancia das cer\u00e2micas de carboneto de sil\u00edcio. A fim de obter uma melhor resist\u00eancia e tenacidade enquanto se baixa a temperatura de sinteriza\u00e7\u00e3o, foram feitas muitas tentativas para melhorar as propriedades deste carboneto de sil\u00edcio sinterizado ajustando a composi\u00e7\u00e3o da fase v\u00edtrea com diferentes aditivos. Durante o processo de sinteriza\u00e7\u00e3o, a introdu\u00e7\u00e3o da fase l\u00edquida no limite do gr\u00e3o e a estrutura interfacial \u00fanica conduziram ao enfraquecimento da estrutura interfacial e a fratura do material mudou para um modo de fratura completa ao longo do cristal, o que resultou num aumento significativo da resist\u00eancia e da tenacidade do material. No entanto, tendo em conta que a utiliza\u00e7\u00e3o do aditivo AlO gera uma fase v\u00edtrea com baixo ponto de fus\u00e3o e elevada volatilidade, que sofrer\u00e1 uma forte volatiliza\u00e7\u00e3o a temperaturas mais elevadas, causando a perda de peso do material e afectando negativamente a densifica\u00e7\u00e3o do material, a fra\u00e7\u00e3o de massa de AlO no aditivo deve ser aumentada de forma adequada.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
O carboneto de sil\u00edcio sinterizado sem press\u00e3o \u00e9 considerado o carboneto de sil\u00edcio sinterizado mais prometedor, e podem ser preparadas cer\u00e2micas de carboneto de sil\u00edcio de formas complexas e de grandes dimens\u00f5es atrav\u00e9s do processo de sinteriza\u00e7\u00e3o sem press\u00e3o. Dependendo do mecanismo de sinteriza\u00e7\u00e3o, este tipo de carboneto de sil\u00edcio sinterizado pode ainda ser dividido em sinteriza\u00e7\u00e3o em fase s\u00f3lida e sinteriza\u00e7\u00e3o em fase l\u00edquida. O \u03b2-SiC que cont\u00e9m... <\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-578","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=578"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":579,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions\/579"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=578"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=578"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=578"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}