A sinteriza\u00e7\u00e3o da cer\u00e2mica de carboneto de sil\u00edcio contendo elementos C e B4C como auxiliares de sinteriza\u00e7\u00e3o \u00e9 uma sinteriza\u00e7\u00e3o em fase s\u00f3lida, e o processo de sinteriza\u00e7\u00e3o \u00e9 controlado principalmente pelo mecanismo de difus\u00e3o, com uma temperatura \u00f3ptima de sinteriza\u00e7\u00e3o de 2150\u00b0C. O processo de sinteriza\u00e7\u00e3o \u00e9 simples e f\u00e1cil de controlar. Adicionar o teor adequado de aditivos de sinteriza\u00e7\u00e3o C+B4C ao processo de sinteriza\u00e7\u00e3o do carboneto de sil\u00edcio sinterizado \u00e9 simples e f\u00e1cil de controlar, a sinteriza\u00e7\u00e3o da cer\u00e2mica em compara\u00e7\u00e3o com o tarugo tem cerca de 30% de volume de retra\u00e7\u00e3o, \u00e9 poss\u00edvel obter uma maior densidade e propriedades mec\u00e2nicas das cer\u00e2micas especiais de carboneto de sil\u00edcio. Atualmente, os aditivos de sinteriza\u00e7\u00e3o habitualmente utilizados s\u00e3o B4C + C, BN + C, BP (fosforeto de boro) + C, AI + C, AIN + C e assim por diante. Adicionar o conte\u00fado adequado do processo de sinteriza\u00e7\u00e3o sem press\u00e3o C + B4C SiC, o processo para este tipo de sic sinterizado \u00e9 simples, f\u00e1cil de controlar, a densidade do material \u00e9 maior, a densidade m\u00e1xima de 3,169\/cm3 (densidade relativa de 98,75%); as propriedades mec\u00e2nicas s\u00e3o melhores, a resist\u00eancia m\u00e1xima \u00e0 compress\u00e3o de 550MPa.
\n A mat\u00e9ria-prima de carboneto de sil\u00edcio \u00e9, de prefer\u00eancia, um microp\u00f3 simples com valor D50 de 0,5 - 0,8 m\u00edcron. Normalmente, trata-se de microns de carboneto de sil\u00edcio verde tratados quimicamente com uma \u00e1rea de superf\u00edcie espec\u00edfica de 20 m3\/g. E o teor de oxig\u00e9nio deve ser o mais baixo poss\u00edvel; al\u00e9m disso, a quantidade de B adicionada deve ser escolhida para ser cerca de 0,5% - 1,5%, enquanto a quantidade de C adicionada depende do n\u00edvel de teor de oxig\u00e9nio no p\u00f3 de SiC. Composi\u00e7\u00e3o qu\u00edmica SIC>99%, F-C<0,1, Si+SiO2<0,1, Fe2O3<0,08. Forma da part\u00edcula e composi\u00e7\u00e3o do tamanho, a forma da part\u00edcula \u00e9 quase esf\u00e9rica, a fim de alcan\u00e7ar o empilhamento mais compacto.
\n A adi\u00e7\u00e3o de B4C e C pertence \u00e0 categoria de sinteriza\u00e7\u00e3o em fase s\u00f3lida, que requer temperaturas de sinteriza\u00e7\u00e3o mais elevadas. A for\u00e7a motriz da sinteriza\u00e7\u00e3o do SiC \u00e9: a diferen\u00e7a entre a energia superficial das part\u00edculas de p\u00f3 (Eb) e a superf\u00edcie oscilante dos gr\u00e3os do corpo sinterizado policristalino (Es), o que leva a uma diminui\u00e7\u00e3o da energia livre do sistema. Dopado com uma quantidade adequada de B4C, o B4C est\u00e1 no limite do gr\u00e3o de SiC durante a sinteriza\u00e7\u00e3o, formando parcialmente uma solu\u00e7\u00e3o s\u00f3lida com SiC, reduzindo assim a capacidade de limite do gr\u00e3o de SiC. A dopagem de uma quantidade moderada de C livre \u00e9 ben\u00e9fica para a sinteriza\u00e7\u00e3o em fase s\u00f3lida porque a superf\u00edcie do SiC \u00e9 normalmente oxidada, resultando na gera\u00e7\u00e3o de uma pequena quantidade de Si02, e a adi\u00e7\u00e3o de uma quantidade moderada de C ajuda a fazer com que a redu\u00e7\u00e3o do filme de Si02 na superf\u00edcie do SiC seja removida, aumentando assim a energia de superf\u00edcie Eb.
\n O sistema SiC sofre decomposi\u00e7\u00e3o e sublima\u00e7\u00e3o a 1,013x105Pa e a uma temperatura superior a 1880\u00b0C. O sistema SiC cont\u00e9m fases gasosas como Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2, etc., e a diferen\u00e7a de temperatura \u00e9 o fator fundamental do processo de sublima\u00e7\u00e3o durante o crescimento dos cristais de SiC, e todo o processo \u00e9 dominado pelo transporte de massa. Estas v\u00e1rias fases de g\u00e1s no sistema SiC coalescem na m\u00e3e de cristal SiC por difus\u00e3o, levando ao crescimento de part\u00edculas de cristal SiC. Para as amostras do sistema auxiliar de sinteriza\u00e7\u00e3o C+B4C, a temperatura de sinteriza\u00e7\u00e3o necess\u00e1ria \u00e9 mais elevada devido \u00e0 sinteriza\u00e7\u00e3o predominantemente em fase s\u00f3lida, e o \u00e1rgon \u00e9 passado como atmosfera protetora a cerca de 1300 \u00b0C, porque o \u00e1rgon \u00e9 favor\u00e1vel \u00e0 redu\u00e7\u00e3o da decomposi\u00e7\u00e3o do SiC a altas temperaturas acima de 1300 \u00b0C. Medir a qualidade do corpo sinterizado de SiC tem duas condi\u00e7\u00f5es necess\u00e1rias: baixa porosidade t\u00e3o densa quanto poss\u00edvel; o gr\u00e3o t\u00e3o pequeno quanto poss\u00edvel.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}