Siliciumcarbide keramiek wordt op twee manieren gevormd, Reaction Bonding en Sintering. Elke vormingsmethode heeft grote invloed op de microstructuur aan het eind.
Reactiegebonden Siliciumcarbide keramiek (RBSIC of SISIC) wordt gemaakt door compacts gemaakt van mengsels van SiC en koolstof te infiltreren met vloeibaar silicium. Het silicium reageert met de koolstof en vormt meer SiC dat de oorspronkelijke SiC-deeltjes bindt.
Gesinterd Siliciumcarbide keramiek (SSiC) wordt gemaakt van zuiver SiC-poeder met niet-oxide sinterhulpmiddelen. Er worden conventionele keramische vormprocessen gebruikt en het materiaal wordt gesinterd in een inerte atmosfeer bij temperaturen tot 2000 ºC of hoger.
Beide vormen van Siliciumcarbide (SiC) zijn zeer slijtvast met goede mechanische eigenschappen, waaronder sterkte bij hoge temperaturen en weerstand tegen thermische schokken.
Dutch 
English 
Arabic 
Bulgarian 
Czech 
Danish 
German 
Greek 
Spanish 
Finnish 
French 
Hungarian 
Indonesian 
Italian 
Japanese 
Korean 
Lithuanian 
Norwegian 
Polish 
Portuguese (Portugal) 
Portuguese (Brazil) 
Romanian 
Russian 
Slovak 
Slovenian 
Swedish 
Turkish 
Ukrainian 
Chinese