geherkristalliseerd siliciumcarbide |

geherkristalliseerd siliciumcarbide

Grove grondstoffen en fijne SiC poeders worden gevormd, onder de bescherming van hoge temperatuur en bepaalde druk, worden ze geherkristalliseerd door vacuüm sinteren, door verdamping van fijne SiC poeders en coagulatie in grove SiC deeltjes, dan krijgen we geherkristalliseerd siliciumcarbide,Door de hoge zuiverheid (SIC > 99,5%) en geen tussenliggende bindingsfase, heeft het uitstekende mechanische eigenschappen bij hoge temperaturen, en de maximale bedrijfstemperatuur kan oplopen tot 1700 C. Gerekristalliseerd siliciumcarbide heeft een goede weerstand tegen hoge temperaturen in keramische producten, en...

Meer lezen