{"id":735,"date":"2026-11-08T23:03:29","date_gmt":"2026-11-08T15:03:29","guid":{"rendered":"https:\/\/siliconcarbide.net\/?p=735"},"modified":"2026-11-08T23:03:29","modified_gmt":"2026-11-08T15:03:29","slug":"rekristalizuotas-silicio-karbidas-skirtas-krosniu-irangai","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/recrystallized-silicon-carbide-for-kiln-furniture\/","title":{"rendered":"Rekristalizuotas silicio karbidas krosni\u0173 \u012frangai"},"content":{"rendered":"

Rekristalizuotas silicio karbidas (RSiC \/ RSC) \u2014 skirtas krosni\u0173 \u012frangai, degikli\u0173 t\u016btoms ir auk\u0161tos temperat\u016bros konstrukcin\u0117ms dalims<\/span><\/h1>\n

Jei j\u016bs\u0173 krosnies ciklo temperat\u016bra vir\u0161ija 1450 \u00b0C, procese vyksta greitas kaitinimas ir au\u0161inimas, o aglomeravimo priedas arba laisvojo silicio faz\u0117 tapt\u0173 silpn\u0105ja grandimi \u2013 tai yra med\u017eiagos apra\u0161ymas, kur\u012f tur\u0117tum\u0117te perskaityti prie\u0161 nurodydami reikalavimus.<\/span><\/strong> RSiC n\u0117ra \u201cdar viena SiC r\u016b\u0161is\u201d. Tai yra ta r\u016b\u0161is, kuri\u0105 pasirenkate, kai <\/span>atsparumas terminiam \u0161okui ir cheminis grynumas yra svarbesni nei did\u017eiausias tankis<\/span><\/strong>.<\/span><\/p>\n

Vienintelis skirtumas, nuo kurio priklauso kiekvienas tolesnis sprendimas<\/span><\/h2>\n

Daugumoje tiek\u0117j\u0173 puslapi\u0173 nurodomas RSiC tankis, poringumas ir stipris, ir tuo viskas baigiasi. \u0160i informacija yra b\u016btina, ta\u010diau nepakankama. Sprendimui priimti svarbus klausimas yra toks: <\/span>kod\u0117l kas nors s\u0105moningai rinkt\u0173si silicio karbid\u0105 su 10\u201320% atviru poringumu, o ne tank\u0173 SSiC, kuris techniniuose duomenyse atrodo geriau?<\/span><\/strong><\/p>\n

Atsakymas slypi mikrostrukt\u016broje. RSiC gaunamas sukepinant labai gryno SiC miltelius ma\u017edaug 2200\u20132450 \u00b0C temperat\u016broje <\/span>be sukepinimo pried\u0173<\/span><\/strong>. Silicio karbido gr\u016bdai auga pagal garavimo\u2013kondensavimo mechanizm\u0105, tarp gr\u016bd\u0173 susidarydami tiesioginius junginius. Med\u017eiaga degimo metu susitraukia labai nedaug, o erdv\u0117, kuri\u0105 tankus SiC u\u017epildyt\u0173 su aglomeravimo priedais arba laisvu siliciu, lieka kaip <\/span>susij\u0119s, atviras poringumas<\/span><\/strong>. \u0160is poringumas n\u0117ra gamybos defektas. Tai funkcin\u0117 savyb\u0117, suteikianti RSiC atsparum\u0105 terminiams sm\u016bgiams ir chemin\u012f inerti\u0161kum\u0105.<\/span><\/p>\n

Tai yra vertinimo kriterijus, kuris atskiria pirk\u0117j\u0105, suprantant\u012f SiC r\u016b\u0161is, nuo to, kuris lygina tik tankio stulpel\u012f.<\/span><\/p>\n

RSiC, SSiC ir SiSiC\/RBSiC: pasirinkimo lentel\u0117, kurios dauguma tiek\u0117j\u0173 nepateikia savo produkt\u0173 puslapiuose<\/span><\/h2>\n
\n
\n
\n
 <\/div>\n<\/div>\n
 <\/div>\n<\/div>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Prek\u0117<\/span><\/th>\nRSiC (rekristalizuotas)<\/span><\/strong><\/th>\nSSiC (sukepintas be sl\u0117gio)<\/span><\/strong><\/th>\nSiSiC \/ RBSiC (sujungti reakcijos b\u016bdu)<\/span><\/strong><\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
SiC grynumas<\/span><\/strong><\/td>\n\u226599%, <\/span>be sukepinimo priedo<\/span><\/strong><\/td>\nPaprastai >98%, sud\u0117tyje yra boro ir anglies sukepinimo pried\u0173<\/span><\/td>\nSiC karkasas + <\/span>8\u201315% be silicio<\/span><\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Atviras poringumas<\/span><\/strong><\/td>\n10\u201320% (veikiantis, prijungtas)<\/span><\/strong><\/td>\nPaprastai <2\u20133%<\/span><\/td>\nBeveik nulis (poros u\u017epildytos siliciu)<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Maksimali eksploatacijos temperat\u016bra (oras)<\/span><\/strong><\/td>\n~1600\u20131650 \u00b0C<\/span><\/strong><\/td>\n~1500\u20131550 \u00b0C (priklauso nuo pagalbin\u0117s med\u017eiagos)<\/span><\/td>\nIlgalaikis veikimas ribojamas iki ~1400 \u00b0C<\/span><\/strong> (laisvasis Si tampa mink\u0161tesnis)<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Atsparumas terminiam \u0161okui<\/span><\/strong><\/td>\nPuiku<\/span><\/strong> \u2014 pagrindin\u0117 prie\u017eastis, d\u0117l kurios pasirenkamas RSiC<\/span><\/td>\nGeras, ta\u010diau riboja tankesnis korpusas ir pagalbin\u0117s priemon\u0117s<\/span><\/td>\nVidutinis; laisvasis silicis sukuria \u017eemos lydymosi temperat\u016bros faz\u0119<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Atsparumas chemin\u0117ms med\u017eiagoms<\/span><\/strong><\/td>\nPuiku \u2014 n\u0117ra laisvojo silicio, n\u0117ra stiklin\u0117s faz\u0117s gr\u016bd\u0173 ribose<\/span><\/td>\nGerai, ta\u010diau sinteravimo priedai gali i\u0161siplauti esant agresyvioms chemin\u0117ms med\u017eiagoms<\/span><\/td>\nLaisvasis silicis riboja atsparum\u0105 stiprioms \u0161armoms ir HF<\/span><\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Tipin\u0117 geometrija \/ s\u0105naud\u0173 logika<\/span><\/strong><\/td>\nPlok\u0161t\u0117s, sijos, vamzd\u017eiai, antgaliai \u2014 <\/span>plonasieni\u0173 ir terminio ciklavimo b\u016bdu apdorot\u0173 detali\u0173<\/span><\/strong><\/td>\nTankios nusid\u0117v\u0117jimo dalys, sandarikliai, smulk\u016bs tiksl\u016bs komponentai<\/span><\/td>\nDidel\u0117s, sud\u0117tingos, beveik galutin\u0117s formos detal\u0117s<\/span><\/strong> kai svarbesn\u0117 yra kaina nei maksimali temperat\u016bra<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n

Atrankos taisykl\u0117:<\/span><\/strong> suderinti pa\u017eym\u012f su <\/span>temperat\u016bra, aplinka, cheminis s\u0105lytis ir terminis ciklas \u2014 o ne santrumpa \u201cSiC\u201d.\u201d<\/span><\/strong> Jei taikymo srityje reikalingas tankus, ma\u017eo poringumo pavir\u0161ius, skirtas sandarumui u\u017etikrinti ar nusid\u0117v\u0117jimui atlaikyti, RSiC n\u0117ra tinkamas pasirinkimas. Jei taikymo srityje vyksta pakartotinis greitas kaitinimas ir au\u0161inimas vir\u0161 1450 \u00b0C, o laisvojo silicio arba sukepinimo pagalbin\u0117 faz\u0117 tapt\u0173 gedimo prie\u017eastimi, RSiC da\u017enai yra vienintel\u0117 SiC r\u016b\u0161is, kuri i\u0161laiko savo savybes<\/span>.<\/span><\/p>\n

Technin\u0117s specifikacijos \u2013 skai\u010diai, kurie svarb\u016bs rengiant specifikacijas ir atliekant pri\u0117mimo patikrinim\u0105<\/span><\/h2>\n

Toliau pateiktoje lentel\u0117je nurodytas nekilnojamojo turto asortimentas, kur\u012f tur\u0117tum\u0117te naudoti kaip <\/span>orientacinis rodiklis, vertinant bet kurio RSiC tiek\u0117jo technini\u0173 duomen\u0173 lap\u0105<\/span><\/strong>. Vert\u0117s priklauso nuo gr\u016bdeli\u0173 dyd\u017eio, formavimo b\u016bdo ir degimo profilio; tiek\u0117jui, nurodan\u010diam vien\u0105 skai\u010di\u0173 be intervalo, reik\u0117t\u0173 papra\u0161yti pateikti bandymo standart\u0105 ir m\u0117ginio geometrij\u0105.<\/span><\/p>\n

\n
\n
 <\/div>\n
 <\/div>\n<\/div>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parametras<\/span><\/th>\nTipinis RSiC asortimentas<\/span><\/th>\nIn\u017einerin\u0117 pastaba<\/span><\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
SiC kiekis<\/span><\/strong><\/td>\n\u226599 % mas\u0117s %<\/span><\/td>\nNenaudojama sukepinimo med\u017eiaga<\/span><\/strong> tai i\u0161skirtinis teiginys apie grynum\u0105; papra\u0161ykite atlikti ICP arba XRF patikrinim\u0105.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
T\u016brinis tankis<\/span><\/strong><\/td>\n2,0\u20132,75 g\/cm\u00b3<\/span><\/td>\nMa\u017eesn\u0117 vert\u0117 rodo didesn\u012f poringum\u0105; vien tik tankis n\u0117ra kokyb\u0117s vertinimo kriterijus.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Atviras poringumas<\/span><\/strong><\/td>\n10\u201320% (funkcin\u0117s klas\u0117s)<\/span><\/strong><\/td>\nSvetain\u0117 <\/span>prijungtas<\/span><\/strong> Poringumo pob\u016bdis turi \u012ftakos pralaidumui ir atsparumui terminiam \u0161okui, o ne tik jo procentin\u0117 dalis.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Lenkimo stipris (RT)<\/span><\/strong><\/td>\n~80\u2013110 MPa<\/span><\/td>\nRSiC yra <\/span>ne<\/span><\/strong> auk\u0161\u010diausio stiprumo SiC; jo nenaudokite ne\u0161an\u010dioms konstrukcin\u0117ms dalims, kurioms SSiC b\u016bt\u0173 stipresnis.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Lenkimo stipris (1200 \u00b0C)<\/span><\/strong><\/td>\n~90\u2013110 MPa<\/span><\/td>\nStiprumo i\u0161laikymas esant tam tikrai temperat\u016brai yra pagrindinis privalumas, palyginti su laisvo silicio turin\u010diomis r\u016b\u0161imis.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Maksimali eksploatacijos temperat\u016bra (oras)<\/span><\/strong><\/td>\n~1600\u20131650 \u00b0C<\/span><\/strong><\/td>\nBe to, oksidacijos kinetika pagreit\u0117ja; atsparumas inertin\u0117je aplinkoje gali siekti ~1800 \u00b0C.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Maksimali eksploatacijos temperat\u016bra (inertin\u0117)<\/span><\/strong><\/td>\n~1800 \u00b0C<\/span><\/td>\nLygindami tiek\u0117j\u0173 teiginius, ai\u0161kiai nurodykite atmosferos s\u0105lygas.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
\u0160ilumos laidumas (RT)<\/span><\/strong><\/td>\n~23 W\/m\u00b7K<\/span><\/td>\nVidutinis, ne auk\u0161\u010diausias tarp SiC r\u016b\u0161i\u0173, ta\u010diau tinkamas krosni\u0173 \u012frangai ir spinduliavimo vamzd\u017eiams.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
CTE (20\u20131000 \u00b0C)<\/span><\/strong><\/td>\n~4,6\u20134,8 \u00d7 10\u207b\u2076 \/K<\/span><\/td>\nMa\u017eas pl\u0117timosi koeficientas yra med\u017eiagos lygio pagrindas atsparumui terminiam \u0161okui.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Terminio \u0161oko parametras R1<\/span><\/strong><\/td>\n~56 K<\/span><\/td>\nLyginamasis rodiklis; j\u012f naudokite skirting\u0173 tiek\u0117j\u0173 RSiC r\u016b\u0161i\u0173 reitingavimui, o ne kaip absoliut\u0173 \u201eatitinka\/neatitinka\u201c kriterij\u0173.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Gr\u016bdeli\u0173 dydis<\/span><\/strong><\/td>\n1\u2013150 \u03bcm (i\u0161ilgine kryptimi)<\/span><\/td>\nRSiC med\u017eiagoje \u012fprasta rasti stambius gr\u016bdelius, kurie prisideda prie tiltelin\u0117s strukt\u016bros susidarymo; labai smulk\u016bs gr\u016bdeliai gali rodyti, kad tai yra kitos r\u016b\u0161ies med\u017eiaga.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n

Duomen\u0173 \u0161altiniai \u2013 tiek\u0117j\u0173 technini\u0173 duomen\u0173 lapai; nurodyti intervalai atspindi \u012fprastus komercinius nuokrypius ir n\u0117ra garantija, kad jie bus taikomi kiekvienai geometrijai<\/span><\/strong>.<\/span><\/p>\n

Kada RSiC yra teisinga specifikacija \u2014 ir kada ji yra neteisinga<\/span><\/h2>\n

Nurodykite RSiC, jei gedimo prie\u017eastis yra terminis \u0161okas arba cheminis poveikis esant tam tikrai temperat\u016brai<\/span><\/h3>\n

Krosni\u0173 \u012franga, skirta greitiems degimo ciklams.<\/span><\/strong> Plonos klojimo plok\u0161t\u0117s, sijos ir ritiniai, kurie nuolat greitai kaitinami ir au\u0161inami esant temperat\u016brai vir\u0161 1450 \u00b0C. Ma\u017eas susitraukimas RSiC sukepinimo metu leid\u017eia <\/span>plonasieni\u0173 profili\u0173 be i\u0161kraipym\u0173<\/span><\/strong>, o atviras poringumas leid\u017eia kompensuoti termin\u012f \u012ftemp\u012f, kuris tankesn\u012f k\u016bn\u0105 priverst\u0173 \u012ftr\u016bkti<\/span>.<\/span><\/p>\n

Degikli\u0173 purk\u0161tukai ir spinduliniai vamzd\u017eiai.<\/span><\/strong> RSiC degikli\u0173 purk\u0161tukai naudojami konvejerin\u0117se, tunelin\u0117se ir ritinin\u0117se krosnyse, nes jie atspar\u016bs oksidacijai ir terminiams cikliniams poky\u010diams iki ~1650\u20131700 \u00b0C, nesusidaro \u012ftr\u016bkim\u0173, kurie atsiranda reakciniu b\u016bdu sujungtame SiC, kai laisvasis silicis tampa silpn\u0105ja faze<\/span>.<\/span><\/p>\n

Puslaidininki\u0173 ir fotovoltini\u0173 krosni\u0173 komponentai.<\/span><\/strong> Auk\u0161to grynumo RSiC naudojamas: <\/span>LPCVD ment\u0117s, valtel\u0117s ir difuzijos krosni\u0173 vidiniai elementai<\/span><\/strong> kur b\u016btina kontroliuoti metal\u0173 u\u017eter\u0161im\u0105 ir daleli\u0173 susidarym\u0105. \u0160iuo atveju pagrindinis specifikacijos veiksnys yra aglomeravimo pried\u0173 nebuvimas, o ne tankis<\/span>.<\/span><\/p>\n

Komponent\u0173 apsauginiai vamzd\u017eiai atmosferin\u0117se krosnyse.<\/span><\/strong> RSiC jungtinis poringumas nepa\u017eeid\u017eia cheminio inerti\u0161kumo daugumoje krosni\u0173 atmosfer\u0173, o med\u017eiaga atlaiko \u0161iluminius gradientus per vamzd\u017eio sienel\u0119 nesuskilindama.<\/span><\/p>\n

Nenurodykite RSiC, jei reikalavimas susij\u0119s su tankiu, sandarumu arba maksimaliu stiprumu<\/span><\/h3>\n

Jei detal\u0117 turi u\u017etikrinti vakuumin\u012f sandarum\u0105, tur\u0117ti \u0161lifuot\u0105 dilimo pavir\u0161i\u0173 arba i\u0161laikyti konstrukcin\u0119 apkrov\u0105, kai <\/span>Didesnis SSiC tankis ir stiprumas<\/span><\/strong> jei tai yra pagrindin\u0117s savyb\u0117s, RSiC yra netinkama r\u016b\u0161is. Pana\u0161iai, jei detal\u0117 yra didel\u0117, geometri\u0161kai sud\u0117tinga ir jautri kainai esant temperat\u016brai \u017eemiau ~1400 \u00b0C, <\/span>SiSiC\/RBSiC<\/span><\/strong> paprastai yra tinkamesnis pasirinkimas \u2014 jame esantis laisvas silicis u\u017epildo poringum\u0105 ir leid\u017eia gaminti beveik galutin\u0117s formos gaminius, ta\u010diau d\u0117l to atsiranda auk\u0161tos temperat\u016bros ir chemini\u0173 apribojim\u0173<\/span>.<\/span><\/p>\n

Atsakymai \u012f klausimus, kuriuos pirk\u0117jai i\u0161 tikr\u0173j\u0173 u\u017eduoda prie\u0161 si\u0173sdami u\u017eklaus\u0105 d\u0117l kainos<\/span><\/h2>\n

Ar RSiC yra tas pats, kas SSiC?<\/span><\/strong> Ne. SSiC yra sukepintas be sl\u0117gio, naudojant sukepinimo priedus, ir yra tankus. RSiC yra rekristalizuotas be pried\u0173 ir i\u0161laiko <\/span>projektinis atviras poringumas<\/span><\/strong>. Tai skirtingos med\u017eiagos, pasi\u017eymin\u010dios skirtingais savybi\u0173 kompromisais, o ne sinonimai<\/span>.<\/span><\/p>\n

Ar RSiC galima naudoti ore esant auk\u0161tesnei nei 1650 \u00b0C temperat\u016brai?<\/span><\/strong> Praktin\u0117 nepertraukiamoji riba ore yra ma\u017edaug <\/span>1600\u20131650 \u00b0C<\/span><\/strong>. Kai kurie tiek\u0117jai nurodo didesnius skai\u010dius, taikomus trumpalaikiam naudojimui arba naudojimui inertin\u0117je aplinkoje; papra\u0161ykite <\/span>atmosfera ir trukm\u0117<\/span><\/strong> u\u017e bet kokio didesnio reikalavimo.<\/span><\/p>\n

Ar poringumas rei\u0161kia, kad detal\u0117 yra silpnesn\u0117 ar prastesn\u0117s kokyb\u0117s?<\/span><\/strong> Tai rei\u0161kia, kad med\u017eiaga yra <\/span>kompromisinis sprendimas, optimizuotas atsi\u017evelgiant \u012f termin\u012f \u0161ok\u0105 ir grynum\u0105, o ne \u012f maksimal\u0173 stiprum\u0105<\/span><\/strong>. Jei j\u016bs\u0173 paskirties atveju \u0161ios savyb\u0117s n\u0117ra b\u016btinos, jums labiau tikt\u0173 tankesn\u0117 r\u016b\u0161is. Poringumas yra technin\u0117s specifikacijos rodiklis, o ne defekto po\u017eymis.<\/span><\/p>\n

Kuo skiriasi RSiC ir SiSiC\/RBSiC, kai naudojami chemin\u0117se aplinkose?<\/span><\/strong> SiSiC\/RBSiC sud\u0117tyje yra <\/span>laisvasis silicis<\/span><\/strong>, d\u0117l ko ribojamas ilgalaikis naudojimas esant auk\u0161tesnei nei ~1400 \u00b0C temperat\u016brai ir suma\u017e\u0117ja atsparumas stiprioms \u0161arm\u0173 bei fluorvandenilio r\u016bg\u0161ties turin\u010dioms aplinkoms. RSiC neturi laisvo silicio ir stiklin\u0117s gr\u016bd\u0173 rib\u0173 faz\u0117s, tod\u0117l jis yra labiau tinkamas, kai <\/span>cheminis inerti\u0161kumas esant tam tikrai temperat\u016brai<\/span><\/strong> yra reikalavimas<\/span>.<\/span><\/p>\n

Ar RSiC detal\u0117s gali b\u016bti tiekiamos pagal u\u017esakym\u0105 pagamintomis geometrin\u0117mis formomis, o ne tik kaip standartin\u0117s plok\u0161t\u0117s ir vamzd\u017eiai?<\/span><\/strong> Taip, atsi\u017evelgiant \u012f rekristalizacijos proceso geometrinius apribojimus. RSiC puikiai tinka <\/span>plonasieni\u0173, didelio u\u017eimamo ploto form\u0173<\/span><\/strong> pavyzd\u017eiui, tvirtinimo plok\u0161t\u0117s ir sijos, ta\u010diau itin storus profilius ar sud\u0117tingas vidines ertmes ekonomi\u0161kiau gali b\u016bti gaminama i\u0161 reakciniu b\u016bdu sujungto plieno. Pateikite br\u0117\u017ein\u012f ir eksploatavimo s\u0105lygas, kad b\u016bt\u0173 galima \u012fvertinti gamybos galimybes.<\/span><\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Recrystallized Silicon Carbide (RSiC \/ RSC) \u2014 for Kiln Furniture, Burner Nozzles & High-Temperature Structural Parts If your furnace cycle runs above 1450\u00b0C, involves rapid heating\/cooling, and a sintering aid or free-silicon phase would become the weak link \u2014 this is the material page you should read before you specify. RSiC is not \u201canother SiC… <\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"off","neve_meta_content_width":70,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[23],"tags":[],"class_list":["post-735","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-recrystallized-silicon-carbide"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/735","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=735"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/735\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":736,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/735\/revisions\/736"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=735"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=735"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=735"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}