Be sl\u0117gio sukepintas silicio karbidas laikomas perspektyviausiu sukepintu silicio karbidu, o be sl\u0117gio sukepinto silicio karbido keramik\u0105 galima paruo\u0161ti sud\u0117ting\u0173 form\u0173 ir dideli\u0173 dyd\u017ei\u0173. Priklausomai nuo sukepinimo mechanizmo, \u0161is sukepintas silicio karbidas gali b\u016bti dar skirstomas \u012f sukepint\u0105 kiet\u0105ja faze ir sukepint\u0105 skyst\u0105ja faze. \u03b2-SiC, kuriame yra p\u0117dsakinis SiO kiekis, gali b\u016bti sukepinamas esant atmosferos sl\u0117giui, pridedant B ir C. \u0160is metodas \u017eymiai pagerina silicio karbido sukepinimo kinetik\u0105. Dopingas su atitinkamu kiekiu B, B sukepinimo metu yra ant SiC gr\u016bdeli\u0173 rib\u0173 ir i\u0161 dalies sudaro kiet\u0105j\u012f tirpal\u0105 su SiC, taip suma\u017eindamas SiC gr\u016bdeli\u0173 rib\u0173 energij\u0105. Vidutinio kiekio laisvojo C dopingas yra naudingas kietosios faz\u0117s sukepinimui, nes SiC pavir\u0161ius paprastai oksiduojasi su nedideliu SiO kartos kiekiu, o prid\u0117jus vidutin\u012f C kiek\u012f, SiO pl\u0117vel\u0117 SiC pavir\u0161iuje suma\u017e\u0117ja ir pa\u0161alinama, tod\u0117l padid\u0117ja pavir\u0161iaus energija. Ta\u010diau sukepinimas skystoje faz\u0117je tur\u0117s neigiam\u0105 poveik\u012f, nes C reaguos su oksid\u0173 priedais ir susidarys dujos, keramikos sukepinimo korpuse susidarys daug ang\u0173, o tai tur\u0117s \u012ftakos tankinimo procesui. Silicio karbido sukepinimo procese labai svarbus \u017ealiavos grynumas, smulkumas ir fazin\u0117 sud\u0117tis. 2020 \u00b0C temperat\u016broje, esant atmosferos sl\u0117giui, S. Proehazka sukepino sukepint\u0105 silicio karbid\u0105, kurio tankis didesnis nei 98%, vienu metu \u012f itin smulkius \u03b2-SiC miltelius (kuriuose yra ma\u017eiau nei 2% deguonies) prid\u0117damas atitinkamus B ir C kiekius. Ta\u010diau SiC-B-C sistema priklauso kietosios faz\u0117s sukepinimo kategorijai, kuriai reikalinga auk\u0161ta sukepinimo temperat\u016bra ir ma\u017eas l\u016b\u017eio kietumas, l\u016b\u017eio b\u016bdas yra tipi\u0161kas per kristalin\u012f l\u016b\u017e\u012f, stamb\u016bs gr\u016bdeliai ir prastas vienodumas. U\u017esienio moksliniuose SiC tyrimuose daugiausia d\u0117mesio skiriama sukepimui skystoje faz\u0117je, t. y. tam tikram kiekiui sukepinimo pried\u0173, esant \u017eemesnei temperat\u016brai, kad b\u016bt\u0173 pasiektas SiC sutank\u0117jimas. SiC sukepinant skyst\u0105ja faze ne tik suma\u017einama sukepinimo temperat\u016bra, palyginti su kietosios faz\u0117s sukepinimo temperat\u016bra, bet ir pager\u0117ja mikrostrukt\u016bra, tod\u0117l sukepintos med\u017eiagos savyb\u0117s pager\u0117ja, palyginti su kietosios faz\u0117s sukepintos med\u017eiagos savyb\u0117mis.
\nM. Omori ir kt. tankiam SiC sukepimui naudojo ret\u0173j\u0173 \u017eemi\u0173 oksidus, sumai\u0161ytus su AlO arba boridais. Kita vertus, Suzuki sukepino SiC tik su AlO kaip priedu, esant ma\u017edaug 2000 \u00b0C temperat\u016brai. A. Mulla ir kt. sukepino 0,5 \u03bcm \u03b2-SiC (su nedideliu SiO kiekiu daleli\u0173 pavir\u0161iuje) su AlO ir YO kaip priedais ,1850-1950 \u00b0C temperat\u016broje ir gavo santykin\u012f SiC keramikos tank\u012f, kuris buvo didesnis nei 95% teorinio tankio, o gr\u016bdeliai buvo smulk\u016bs, j\u0173 vidutinis dydis buvo 1,5 \u03bcm.
\nNustatyta, kad silicio karbido keramikos mikrostrukt\u016bra yra stambiagr\u016bd\u0117, o jos strukt\u016bra pana\u0161i \u012f lazdeli\u0173 ir pasi\u017eymi geru atsparumu l\u016b\u017eiams. Lazdel\u0117s pavidalo gr\u016bdeliai padidina atsparum\u0105 l\u016b\u017eiams, ta\u010diau suma\u017eina silicio karbido keramikos stiprum\u0105. Siekiant gauti geresn\u012f stipr\u012f ir kietum\u0105, kartu suma\u017einant sukepinimo temperat\u016br\u0105, daug kart\u0173 bandyta pagerinti \u0161io sukepinto silicio karbido savybes reguliuojant stiklo faz\u0117s sud\u0117t\u012f \u012fvairiais priedais. Per sukepinimo proces\u0105 d\u0117l skystosios faz\u0117s atsiradimo ties gr\u016bdeli\u0173 riba ir unikalios tarpfazin\u0117s strukt\u016bros susilpn\u0117jo tarpfazin\u0117 strukt\u016bra, o med\u017eiagos l\u016b\u017eis pasikeit\u0117 \u012f visi\u0161k\u0105 i\u0161ilgai kristalo l\u016b\u017eio re\u017eim\u0105, d\u0117l to labai padid\u0117jo med\u017eiagos stipris ir kietumas. Ta\u010diau atsi\u017evelgiant \u012f tai, kad naudojant AlO pried\u0105 susidaro stiklin\u0117 faz\u0117, turinti \u017eem\u0105 lydymosi temperat\u016br\u0105 ir didel\u012f lakum\u0105, kuri auk\u0161tesn\u0117je temperat\u016broje stipriai garuoja, d\u0117l to med\u017eiaga praranda svor\u012f ir neigiamai veikia med\u017eiagos tank\u0117jim\u0105, AlO mas\u0117s dal\u012f priede reik\u0117t\u0173 atitinkamai padidinti.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Pressureless sintered silicon carbide is considered to be the most promising sintered silicon carbide, and complex shapes and large sizes of silicon carbide ceramics can be prepared by the pressureless sintering process. Depending on the sintering mechanism, this kind of sintered silicon carbide can be further divided into solid-phase sintering and liquid-phase sintering. \u03b2-SiC containing […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-578","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=578"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":579,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions\/579"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=578"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=578"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=578"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}