Silicio karbido keramikos, kurios sud\u0117tyje yra C ir B4C element\u0173 kaip sukepinimo pagalbini\u0173 med\u017eiag\u0173, sukepinimas yra kietosios faz\u0117s sukepinimas, o sukepinimo proces\u0105 daugiausia valdo difuzijos mechanizmas, optimali sukepinimo temperat\u016bra yra 2150 \u00b0C. Sukepinimo procesas yra paprastas ir lengvai kontroliuojamas. Prid\u0117jus atitinkam\u0105 C + B4C sukepinimo pried\u0173 kiek\u012f sukepinimo silicio karbido sukepinimo procesas yra paprastas ir lengvai kontroliuojamas, keramikos sukepinimas, palyginti su ruo\u0161iniu, turi apie 30% t\u016brio susitraukim\u0105, galima gauti didesn\u012f tank\u012f, mechanines silicio karbido specialios keramikos savybes. \u0160iuo metu da\u017eniausiai naudojami \u0161ie sukepinimo priedai: B4C + C, BN + C, BP (boro fosfidas) + C, AI + C, AIN + C ir kt. Prid\u0117jus atitinkam\u0105 kiek\u012f C + B4C SiC sukepinimo be sl\u0117gio proceso metu, \u0161ios r\u016b\u0161ies sukepintos sic procesas yra paprastas, lengvai kontroliuojamas, med\u017eiagos tankis yra didesnis, did\u017eiausias tankis 3,169\/cm3 (santykinis tankis 98,75%); mechanin\u0117s savyb\u0117s yra geresn\u0117s, did\u017eiausias gniu\u017edymo stipris 550 MPa.
\n Pageidautina, kad silicio karbido \u017ealiavos D50 vert\u0117 b\u016bt\u0173 0,5-0,8 mikron\u0173 dyd\u017eio pavieniai mikropudeliai. Paprastai tai yra chemi\u0161kai apdoroti \u017eali silicio karbido mikronai, kuri\u0173 savitasis pavir\u0161iaus plotas yra 20 m3\/g. O deguonies kiekis tur\u0117t\u0173 b\u016bti kuo ma\u017eesnis; be to, reik\u0117t\u0173 pasirinkti tok\u012f prid\u0117tinio B kiek\u012f, kad jis b\u016bt\u0173 apie 0,5% - 1,5%, o prid\u0117tinio C kiekis priklauso nuo deguonies kiekio SiC milteliuose. Chemin\u0117 sud\u0117tis SIC>99%, F-C<0,1, Si+SiO2<0,1, Fe2O3<0,08. Daleli\u0173 formos ir dyd\u017eio sud\u0117tis, daleli\u0173 forma yra beveik sferin\u0117, kad b\u016bt\u0173 pasiektas kuo kompakti\u0161kesnis sud\u0117jimas.
\n B4C ir C prid\u0117jimas priklauso kietosios faz\u0117s sukepinimo kategorijai, kuriai reikia auk\u0161tesn\u0117s sukepinimo temperat\u016bros.SiC sukepinimo varomoji j\u0117ga yra: skirtumas tarp milteli\u0173 daleli\u0173 pavir\u0161iaus energijos (Eb) ir polikristalinio sukepinto k\u016bno gr\u016bdeli\u0173 banguotojo pavir\u0161iaus (Es), d\u0117l kurio suma\u017e\u0117ja sistemos laisvoji energija. Legiruotas atitinkamu kiekiu B4C, B4C sukepinimo metu yra ant SiC gr\u016bdeli\u0173 ribos, i\u0161 dalies sudarydamas kiet\u0105j\u012f tirpal\u0105 su SiC, tod\u0117l suma\u017e\u0117ja SiC gr\u016bdeli\u0173 ribos talpa. Vidutinio laisvo C kiekio dopingas yra naudingas kietosios faz\u0117s sukepinimui, nes SiC pavir\u0161ius paprastai oksiduojasi, tod\u0117l susidaro nedidelis kiekis Si02, o prid\u0117jus vidutin\u012f C kiek\u012f, galima suma\u017einti Si02 pl\u0117vel\u0119 ant SiC pavir\u0161iaus, tod\u0117l padid\u0117ja pavir\u0161iaus energija Eb.
\n SiC sistema skyla ir sublimuojasi esant 1,013x105Pa ir auk\u0161tesnei nei 1880 \u00b0C temperat\u016brai. SiC sistemoje yra dujini\u0173 fazi\u0173: Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2 ir t. t., o temperat\u016bros skirtumas yra pagrindinis sublimacijos proceso variklis augant SiC kristalams, ir visame procese dominuoja mas\u0117s perna\u0161a. \u0160ios \u012fvairios duj\u0173 faz\u0117s SiC sistemoje difuzijos b\u016bdu susilieja ant SiC kristalo motinos, tod\u0117l auga SiC kristalo dalel\u0117s. C+B4C sukepinimo pagalbin\u0117s sistemos bandini\u0173 atveju reikalinga auk\u0161tesn\u0117 sukepinimo temperat\u016bra, nes vyrauja kietosios faz\u0117s sukepinimas, o argonas \u012fleid\u017eiamas kaip apsaugin\u0117 atmosfera ma\u017edaug 1300 \u00b0C temperat\u016broje, nes argonas palankus ma\u017einti SiC skilim\u0105 auk\u0161tesn\u0117je nei 1300 \u00b0C temperat\u016broje. SiC sukepinto k\u016bno kokybei \u012fvertinti b\u016btinos dvi s\u0105lygos: ma\u017eas akytumas, kuo tankesnis; kuo ma\u017eesni gr\u016bdai.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}