rekristalizuotas silicio karbidas
Stambios žaliavos ir smulkūs SiC milteliai susidaro, esant aukštai temperatūrai ir tam tikram slėgiui, jie rekristalizuojami vakuuminio sukepinimo būdu, išgarinant smulkius SiC miltelius ir koaguliuojant stambioms SiC dalelėms,Dėl didelio grynumo (SIC > 99,5%) ir tarpinės jungiamosios fazės nebuvimo jis pasižymi puikiomis mechaninėmis savybėmis aukštoje temperatūroje, o didžiausia darbinė temperatūra gali siekti 1700 C. Rekristalizuotas silicio karbidas pasižymi geru atsparumu aukštai temperatūrai keramikos gaminiuose ir didėja didėjant...
Skaityti daugiau