La sinterizzazione della ceramica di carburo di silicio contenente elementi C e B4C come coadiuvanti di sinterizzazione avviene in fase solida e il processo di sinterizzazione \u00e8 controllato principalmente dal meccanismo di diffusione, con una temperatura di sinterizzazione ottimale di 2150\u00b0C. Il processo di sinterizzazione \u00e8 semplice e facile da controllare. Il processo di sinterizzazione del carburo di silicio sinterizzato \u00e8 semplice e facile da controllare, la sinterizzazione della ceramica rispetto alla billetta ha un ritiro volumetrico di circa 30%, \u00e8 possibile ottenere una densit\u00e0 pi\u00f9 elevata, le propriet\u00e0 meccaniche del carburo di silicio ceramico speciale. Attualmente, gli additivi di sinterizzazione comunemente utilizzati sono B4C + C, BN + C, BP (fosfuro di boro) + C, AI + C, AIN + C e cos\u00ec via. Aggiungendo il contenuto appropriato di C + B4C SiC senza pressione, il processo per questo tipo di sic sinterizzato \u00e8 semplice, facile da controllare, la densit\u00e0 del materiale \u00e8 maggiore, la densit\u00e0 massima di 3,169\/cm3 (densit\u00e0 relativa di 98,75%); le propriet\u00e0 meccaniche sono migliori, la resistenza alla compressione massima di 550MPa.
\n La materia prima di carburo di silicio \u00e8 preferibilmente un valore D50 di 0,5 - 0,8 micron di micropolvere singola. Di solito si tratta di micron di carburo di silicio verde trattato chimicamente con un'area superficiale specifica di 20 m3\/g. Il contenuto di ossigeno deve essere il pi\u00f9 basso possibile; inoltre, la quantit\u00e0 di B aggiunta deve essere scelta intorno a 0,5% - 1,5%, mentre la quantit\u00e0 di C aggiunta dipende dal livello di ossigeno contenuto nella polvere di SiC. Composizione chimica SIC>99%, F-C<0,1, Si+SiO2<0,1, Fe2O3<0,08. Forma e dimensione delle particelle: la forma delle particelle \u00e8 quasi sferica per ottenere un impilamento pi\u00f9 compatto.
\n L'aggiunta di B4C e C appartiene alla categoria della sinterizzazione in fase solida, che richiede temperature di sinterizzazione pi\u00f9 elevate.La forza motrice della sinterizzazione del SiC \u00e8: la differenza tra l'energia superficiale delle particelle di polvere (Eb) e la superficie di oscillazione dei grani del corpo policristallino sinterizzato (Es), che porta a una diminuzione dell'energia libera del sistema. Drogato con una quantit\u00e0 appropriata di B4C, il B4C si trova sul confine di grano del SiC durante la sinterizzazione, formando parzialmente una soluzione solida con il SiC, riducendo cos\u00ec la capacit\u00e0 del confine di grano del SiC. Il drogaggio di una moderata quantit\u00e0 di C libero \u00e8 vantaggioso per la sinterizzazione in fase solida perch\u00e9 la superficie del SiC \u00e8 solitamente ossidata, con conseguente generazione di una piccola quantit\u00e0 di Si02, e l'aggiunta di una moderata quantit\u00e0 di C aiuta a rimuovere la riduzione del film di Si02 sulla superficie del SiC, aumentando cos\u00ec l'energia superficiale Eb.
\n Il sistema SiC subisce decomposizione e sublimazione a 1,013x105Pa e ad una temperatura superiore a 1880\u00b0C. Il sistema SiC contiene fasi gassose come Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2 e cos\u00ec via, e la differenza di temperatura \u00e8 il motore fondamentale del processo di sublimazione durante la crescita dei cristalli di SiC, e l'intero processo \u00e8 dominato dal trasporto di massa. Queste varie fasi gassose nel sistema SiC si aggregano sulla madre del cristallo SiC per diffusione, portando alla crescita di particelle di cristallo SiC. Per i campioni del sistema di ausilio alla sinterizzazione C+B4C, la temperatura di sinterizzazione richiesta \u00e8 pi\u00f9 alta a causa della sinterizzazione prevalentemente in fase solida, e l'argon viene introdotto come atmosfera protettiva a circa 1300 \u00b0C, poich\u00e9 l'argon \u00e8 favorevole a ridurre la decomposizione del SiC ad alte temperature superiori a 1300 \u00b0C. Per misurare la qualit\u00e0 del corpo sinterizzato di SiC sono necessarie due condizioni: una bassa porosit\u00e0, il pi\u00f9 densa possibile, e un grano il pi\u00f9 piccolo possibile.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/it\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}