A nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcl szinterezett szil\u00edciumkarbidot tekintik a leg\u00edg\u00e9retesebb szinterezett szil\u00edciumkarbidnak, \u00e9s a nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcli szinterez\u00e9si elj\u00e1r\u00e1ssal komplex form\u00e1j\u00fa \u00e9s nagy m\u00e9ret\u0171 szil\u00edciumkarbid ker\u00e1mi\u00e1k \u00e1ll\u00edthat\u00f3k el\u0151. A szinterel\u00e9si mechanizmust\u00f3l f\u00fcgg\u0151en ez a fajta szinterezett szil\u00edciumkarbid tov\u00e1bb oszthat\u00f3 szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9sre \u00e9s folyad\u00e9kf\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9sre. A nyomokban SiO-t tartalmaz\u00f3 \u03b2-SiC szinterezhet\u0151 atmoszf\u00e9rikus nyom\u00e1son B \u00e9s C hozz\u00e1ad\u00e1s\u00e1val. Ez a m\u00f3dszer jelent\u0151sen jav\u00edtja a szil\u00edciumkarbid szinterez\u00e9si kinetik\u00e1j\u00e1t. Megfelel\u0151 mennyis\u00e9g\u0171 B-vel d\u00f3polva a B a szinterez\u00e9s sor\u00e1n a SiC szemcsehat\u00e1rain van, \u00e9s r\u00e9szben szil\u00e1rd oldatot k\u00e9pez a SiC-vel, \u00edgy cs\u00f6kkenti a SiC szemcsehat\u00e1r-energi\u00e1j\u00e1t. A m\u00e9rs\u00e9kelt mennyis\u00e9g\u0171 szabad C adal\u00e9kol\u00e1sa el\u0151ny\u00f6s a szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9shez, mivel a SiC fel\u00fclete \u00e1ltal\u00e1ban kis mennyis\u00e9g\u0171 SiO-gener\u00e1ci\u00f3val oxid\u00e1l\u00f3dik, \u00e9s a m\u00e9rs\u00e9kelt mennyis\u00e9g\u0171 C hozz\u00e1ad\u00e1sa seg\u00edt a SiC fel\u00fclet\u00e9n l\u00e9v\u0151 SiO-film redukci\u00f3j\u00e1ban \u00e9s elt\u00e1vol\u00edt\u00e1s\u00e1ban, \u00edgy n\u00f6velve a fel\u00fcleti energi\u00e1t. A foly\u00e9kony f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s azonban negat\u00edv hat\u00e1ssal j\u00e1r, mert a C reag\u00e1l az oxid adal\u00e9kanyagokkal, hogy g\u00e1zt hozzon l\u00e9tre, nagysz\u00e1m\u00fa ny\u00edl\u00e1s kialakul\u00e1s\u00e1t a ker\u00e1mia szinterel\u0151 testben, ami befoly\u00e1solja a s\u0171r\u00edt\u00e9si folyamatot. A nyersanyag tisztas\u00e1ga, finoms\u00e1ga \u00e9s f\u00e1zis\u00f6sszet\u00e9tele nagyon fontos a szil\u00edciumkarbid szinterel\u00e9si folyamat\u00e1ban. 2020\u00b0C-on, atmoszf\u00e9rikus nyom\u00e1son S. Proehazka 98%-n\u00e9l nagyobb s\u0171r\u0171s\u00e9g\u0171 szil\u00edciumkarbidot szinterezett 2020\u00b0C-on, megfelel\u0151 mennyis\u00e9g\u0171 B \u00e9s C egyidej\u0171 hozz\u00e1ad\u00e1s\u00e1val az ultrafinom \u03b2-SiC porokhoz (amelyek kevesebb mint 2% oxig\u00e9nt tartalmaznak). A SiC-B-C rendszer azonban a szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s kateg\u00f3ri\u00e1j\u00e1ba tartozik, amely magas szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9kletet \u00e9s alacsony t\u00f6r\u00e9si sz\u00edv\u00f3ss\u00e1got ig\u00e9nyel, a t\u00f6r\u00e9si m\u00f3d egy tipikus \u00e1tkrist\u00e1lyos t\u00f6r\u00e9s, durva szemcs\u00e9k \u00e9s gyenge egyenletess\u00e9g. A SiC-vel kapcsolatos k\u00fclf\u00f6ldi kutat\u00e1sok k\u00f6z\u00e9ppontj\u00e1ban els\u0151sorban a foly\u00e9kony f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s \u00e1ll, azaz bizonyos sz\u00e1m\u00fa szinterel\u00e9si adal\u00e9kanyag, alacsonyabb h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten a SiC s\u0171r\u00edt\u00e9s el\u00e9r\u00e9se \u00e9rdek\u00e9ben. A SiC folyad\u00e9kf\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9se nemcsak a szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9shez k\u00e9pest cs\u00f6kkenti a szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9kletet, hanem jav\u00edtja a mikroszerkezetet is, \u00e9s \u00edgy a szinterezett test tulajdons\u00e1gai javulnak a szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterezett test tulajdons\u00e1gaihoz k\u00e9pest.
\nM. Omori \u00e9s t\u00e1rsai ritkaf\u00f6ldf\u00e9m-oxidokat haszn\u00e1ltak AlO-val vagy boridokkal keverve SiC s\u0171r\u0171 szinterez\u00e9s\u00e9hez. Suzuki ezzel szemben csak AlO-val, mint adal\u00e9kanyaggal szinterezte a SiC-t k\u00f6r\u00fclbel\u00fcl 2000 \u00b0C-on. A. Mulla et al. 0,5 \u03bcm-es \u03b2-SiC-et (kis mennyis\u00e9g\u0171 SiO-val a r\u00e9szecsk\u00e9k fel\u00fclet\u00e9n) AlO \u00e9s YO adal\u00e9kanyagokkal szinterezett ,1850-1950\u00b0C-on, \u00e9s olyan relat\u00edv s\u0171r\u0171s\u00e9get kapott a SiC-ker\u00e1mi\u00e1b\u00f3l, amely nagyobb volt, mint az elm\u00e9leti s\u0171r\u0171s\u00e9g 95%-je, \u00e9s a szemcs\u00e9k finom, \u00e1tlagosan 1,5 \u03bc m-es m\u00e9ret\u0171ek voltak.
\nA szil\u00edciumkarbid-ker\u00e1mia mikroszerkezete durva szemcs\u00e9kkel \u00e9s p\u00e1lcaszer\u0171 szerkezettel rendelkezett, j\u00f3 t\u00f6r\u00e9si sz\u00edv\u00f3ss\u00e1ggal. A r\u00fadszer\u0171 szemcs\u00e9k n\u00f6velik a t\u00f6r\u00e9si sz\u00edv\u00f3ss\u00e1got, mik\u00f6zben cs\u00f6kkentik a szil\u00edciumkarbid ker\u00e1mia szil\u00e1rds\u00e1g\u00e1t. Annak \u00e9rdek\u00e9ben, hogy a szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet cs\u00f6kkent\u00e9se mellett jobb szil\u00e1rds\u00e1got \u00e9s sz\u00edv\u00f3ss\u00e1got \u00e9rjenek el, sz\u00e1mos k\u00eds\u00e9rletet tettek e szinterezett szil\u00edciumkarbid tulajdons\u00e1gainak jav\u00edt\u00e1s\u00e1ra az \u00fcvegf\u00e1zis \u00f6sszet\u00e9tel\u00e9nek k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 adal\u00e9kanyagokkal t\u00f6rt\u00e9n\u0151 be\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1val. A szinterel\u00e9si folyamat sor\u00e1n a foly\u00e9kony f\u00e1zis bevezet\u00e9se a szemcsehat\u00e1ron \u00e9s az egyedi hat\u00e1rfel\u00fcleti szerkezet a hat\u00e1rfel\u00fcleti szerkezet gyeng\u00fcl\u00e9s\u00e9hez vezetett, \u00e9s az anyag t\u00f6r\u00e9se teljes krist\u00e1ly ment\u00e9n t\u00f6rt\u00e9n\u0151 t\u00f6r\u00e9sm\u00f3dra v\u00e1ltozott, ami az anyag szil\u00e1rds\u00e1g\u00e1nak \u00e9s sz\u00edv\u00f3ss\u00e1g\u00e1nak jelent\u0151s n\u00f6veked\u00e9s\u00e9t eredm\u00e9nyezte. Tekintettel azonban arra, hogy az AlO adal\u00e9kanyag haszn\u00e1lata alacsony olvad\u00e1spont\u00fa \u00e9s nagy ill\u00e9konys\u00e1g\u00fa \u00fcveges f\u00e1zist hoz l\u00e9tre, amely magasabb h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten er\u0151s elp\u00e1rolg\u00e1snak megy kereszt\u00fcl, ami az anyag t\u00f6megvesztes\u00e9g\u00e9t okozza \u00e9s h\u00e1tr\u00e1nyosan befoly\u00e1solja az anyag s\u0171r\u0171s\u00f6d\u00e9s\u00e9t, az AlO t\u00f6megh\u00e1nyad\u00e1t az adal\u00e9kanyagban megfelel\u0151en n\u00f6velni kell.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Pressureless sintered silicon carbide is considered to be the most promising sintered silicon carbide, and complex shapes and large sizes of silicon carbide ceramics can be prepared by the pressureless sintering process. Depending on the sintering mechanism, this kind of sintered silicon carbide can be further divided into solid-phase sintering and liquid-phase sintering. \u03b2-SiC containing […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-578","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=578"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":579,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions\/579"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=578"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=578"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=578"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}