A C \u00e9s B4C elemeket szinterel\u00e9si seg\u00e9danyagk\u00e9nt tartalmaz\u00f3 szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia szinterez\u00e9se szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s, \u00e9s a szinterel\u00e9si folyamatot f\u0151k\u00e9nt a diff\u00fazi\u00f3s mechanizmus ir\u00e1ny\u00edtja, optim\u00e1lis szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9klete 2150 \u00b0C-on. A szinterel\u00e9si folyamat egyszer\u0171 \u00e9s k\u00f6nnyen szab\u00e1lyozhat\u00f3. Adja hozz\u00e1 a megfelel\u0151 tartalom C + B4C szinterel\u00e9si adal\u00e9kanyagok szinterezett szil\u00edcium-karbid szinterel\u00e9si folyamat egyszer\u0171 \u00e9s k\u00f6nnyen ellen\u0151rizhet\u0151, ker\u00e1mia szinterez\u00e9s k\u00e9pest a tusk\u00f3 k\u00f6r\u00fclbel\u00fcl 30% t\u00e9rfogat zsugorod\u00e1s, akkor kap egy nagyobb s\u0171r\u0171s\u00e9g\u0171, mechanikai tulajdons\u00e1gai szil\u00edcium-karbid speci\u00e1lis ker\u00e1mia. Jelenleg az \u00e1ltal\u00e1nosan haszn\u00e1lt szinterel\u00e9si adal\u00e9kanyagok a B4C + C, BN + C, BP (borfoszfid) + C, AI + C, AIN + C \u00e9s \u00edgy tov\u00e1bb. Adja hozz\u00e1 a megfelel\u0151 tartalom C + B4C SiC nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcli szinterel\u00e9si folyamat, a folyamat az ilyen szinterezett szik egyszer\u0171, k\u00f6nnyen ellen\u0151rizhet\u0151, az anyag s\u0171r\u0171s\u00e9ge nagyobb, a maxim\u00e1lis s\u0171r\u0171s\u00e9ge 3,169 \/ cm3 (relat\u00edv s\u0171r\u0171s\u00e9ge 98,75%); mechanikai tulajdons\u00e1gok jobbak, a maxim\u00e1lis nyom\u00f3szil\u00e1rds\u00e1g 550MPa.
\n A szil\u00edciumkarbid nyersanyag D50 \u00e9rt\u00e9ke lehet\u0151leg 0,5-0,8 mikronos egyedi mikropor. \u00c1ltal\u00e1ban k\u00e9miailag kezelt z\u00f6ld szil\u00edciumkarbid mikronok, amelyek fajlagos fel\u00fclete 20 m3\/g. Az oxig\u00e9ntartalomnak pedig a lehet\u0151 legalacsonyabbnak kell lennie; tov\u00e1bb\u00e1 a hozz\u00e1adott B mennyis\u00e9g\u00e9t \u00fagy kell megv\u00e1lasztani, hogy az 0,5% - 1,5% k\u00f6r\u00fcl legyen, m\u00edg a hozz\u00e1adott C mennyis\u00e9ge a SiC por oxig\u00e9ntartalm\u00e1nak szintj\u00e9t\u0151l f\u00fcgg. K\u00e9miai \u00f6sszet\u00e9tel SIC>99%, F-C<0,1, Si+SiO2<0,1, Fe2O3<0,08. R\u00e9szecske alak \u00e9s m\u00e9ret \u00f6sszet\u00e9tele, a r\u00e9szecske alakja k\u00f6zel g\u00f6mb alak\u00fa a legkompaktabb halmaz\u00e1llapot el\u00e9r\u00e9se \u00e9rdek\u00e9ben.
\n A B4C \u00e9s a C hozz\u00e1ad\u00e1sa a szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s kateg\u00f3ri\u00e1j\u00e1ba tartozik, amely magasabb szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9kletet ig\u00e9nyel.A SiC szinterez\u00e9s\u00e9nek hajt\u00f3ereje: a porszemcs\u00e9k fel\u00fcleti energi\u00e1ja (Eb) \u00e9s a polikrist\u00e1lyos szintertest szemcs\u00e9inek hull\u00e1mz\u00f3 fel\u00fclete (Es) k\u00f6z\u00f6tti k\u00fcl\u00f6nbs\u00e9g, amely a rendszer szabad energi\u00e1j\u00e1nak cs\u00f6kken\u00e9s\u00e9hez vezet. Megfelel\u0151 mennyis\u00e9g\u0171 B4C-vel d\u00f3polva a B4C a szinterez\u00e9s sor\u00e1n a SiC szemcsehat\u00e1r\u00e1n van, r\u00e9szben szil\u00e1rd oldatot k\u00e9pez a SiC-vel, \u00edgy cs\u00f6kkenti a SiC szemcsehat\u00e1r kapacit\u00e1s\u00e1t. A m\u00e9rs\u00e9kelt mennyis\u00e9g\u0171 szabad C adal\u00e9kol\u00e1sa el\u0151ny\u00f6s a szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9shez, mivel a SiC fel\u00fclete \u00e1ltal\u00e1ban oxid\u00e1l\u00f3dik, ami kis mennyis\u00e9g\u0171 Si02 keletkez\u00e9s\u00e9hez vezet, \u00e9s a m\u00e9rs\u00e9kelt mennyis\u00e9g\u0171 C hozz\u00e1ad\u00e1sa seg\u00edt abban, hogy a SiC fel\u00fclet\u00e9n l\u00e9v\u0151 Si02 film redukci\u00f3ja elt\u00e1vol\u00edthat\u00f3 legyen, \u00edgy n\u00f6velve az Eb fel\u00fcleti energi\u00e1t.
\n A SiC rendszer 1,013x105 Pa nyom\u00e1son \u00e9s 1880 \u00b0C-n\u00e1l magasabb h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten bomlik \u00e9s szublim\u00e1l\u00f3dik. A SiC rendszer olyan g\u00e1zf\u00e1zisokat tartalmaz, mint a Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2, stb., \u00e9s a h\u0151m\u00e9rs\u00e9kletk\u00fcl\u00f6nbs\u00e9g a szublim\u00e1ci\u00f3s folyamat alapvet\u0151 hajt\u00f3ereje a SiC krist\u00e1lyok n\u00f6veked\u00e9se sor\u00e1n, \u00e9s az eg\u00e9sz folyamatot a t\u00f6megsz\u00e1ll\u00edt\u00e1s uralja. Ezek a k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 g\u00e1zf\u00e1zisok a SiC-rendszerben diff\u00fazi\u00f3val egyes\u00fclnek a SiC-krist\u00e1ly anyj\u00e1n, ami a SiC-krist\u00e1ly r\u00e9szecsk\u00e9k n\u00f6veked\u00e9s\u00e9hez vezet. A C+B4C szinterel\u00e9st seg\u00edt\u0151 rendszer mint\u00e1in\u00e1l a sz\u00fcks\u00e9ges szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet a t\u00falnyom\u00f3r\u00e9szt szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s miatt magasabb, \u00e9s k\u00f6r\u00fclbel\u00fcl 1300 \u00b0C-on argont vezetnek be v\u00e9d\u0151g\u00e1zk\u00e9nt, mivel az argon kedvez\u0151en cs\u00f6kkenti a SiC boml\u00e1s\u00e1t 1300 \u00b0C feletti magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten. A SiC szinterezett test min\u0151s\u00e9g\u00e9nek m\u00e9r\u00e9se k\u00e9t sz\u00fcks\u00e9ges felt\u00e9tel: alacsony porozit\u00e1s a lehet\u0151 legs\u0171r\u0171bb; a szemcse a lehet\u0151 legkisebb.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
A szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia \u2013 amely C \u00e9s B\u2084C elemeket tartalmaz szinterez\u00e9si seg\u00e9danyagk\u00e9nt \u2013 szinterez\u00e9se szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s, \u00e9s a szinterez\u00e9si folyamatot els\u0151sorban a diff\u00fazi\u00f3s mechanizmus szab\u00e1lyozza; az optim\u00e1lis szinterez\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet 2150 \u00b0C. A szinterel\u00e9si folyamat egyszer\u0171 \u00e9s k\u00f6nnyen szab\u00e1lyozhat\u00f3. Adagoljon megfelel\u0151 mennyis\u00e9g\u0171 C + B4C szinterel\u00e9si adal\u00e9kot\u2026 <\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}