A C \u00e9s B4C elemeket szinterel\u00e9si seg\u00e9danyagk\u00e9nt tartalmaz\u00f3 szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia szinterez\u00e9se szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s, \u00e9s a szinterel\u00e9si folyamatot f\u0151k\u00e9nt a diff\u00fazi\u00f3s mechanizmus ir\u00e1ny\u00edtja, optim\u00e1lis szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9klete 2150 \u00b0C-on. A szinterel\u00e9si folyamat egyszer\u0171 \u00e9s k\u00f6nnyen szab\u00e1lyozhat\u00f3. Adja hozz\u00e1 a megfelel\u0151 tartalom C + B4C szinterel\u00e9si adal\u00e9kanyagok szinterezett szil\u00edcium-karbid szinterel\u00e9si folyamat egyszer\u0171 \u00e9s k\u00f6nnyen ellen\u0151rizhet\u0151, ker\u00e1mia szinterez\u00e9s k\u00e9pest a tusk\u00f3 k\u00f6r\u00fclbel\u00fcl 30% t\u00e9rfogat zsugorod\u00e1s, akkor kap egy nagyobb s\u0171r\u0171s\u00e9g\u0171, mechanikai tulajdons\u00e1gai szil\u00edcium-karbid speci\u00e1lis ker\u00e1mia. Jelenleg az \u00e1ltal\u00e1nosan haszn\u00e1lt szinterel\u00e9si adal\u00e9kanyagok a B4C + C, BN + C, BP (borfoszfid) + C, AI + C, AIN + C \u00e9s \u00edgy tov\u00e1bb. Adja hozz\u00e1 a megfelel\u0151 tartalom C + B4C SiC nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcli szinterel\u00e9si folyamat, a folyamat az ilyen szinterezett szik egyszer\u0171, k\u00f6nnyen ellen\u0151rizhet\u0151, az anyag s\u0171r\u0171s\u00e9ge nagyobb, a maxim\u00e1lis s\u0171r\u0171s\u00e9ge 3,169 \/ cm3 (relat\u00edv s\u0171r\u0171s\u00e9ge 98,75%); mechanikai tulajdons\u00e1gok jobbak, a maxim\u00e1lis nyom\u00f3szil\u00e1rds\u00e1g 550MPa.
\n A szil\u00edciumkarbid nyersanyag D50 \u00e9rt\u00e9ke lehet\u0151leg 0,5-0,8 mikronos egyedi mikropor. \u00c1ltal\u00e1ban k\u00e9miailag kezelt z\u00f6ld szil\u00edciumkarbid mikronok, amelyek fajlagos fel\u00fclete 20 m3\/g. Az oxig\u00e9ntartalomnak pedig a lehet\u0151 legalacsonyabbnak kell lennie; tov\u00e1bb\u00e1 a hozz\u00e1adott B mennyis\u00e9g\u00e9t \u00fagy kell megv\u00e1lasztani, hogy az 0,5% - 1,5% k\u00f6r\u00fcl legyen, m\u00edg a hozz\u00e1adott C mennyis\u00e9ge a SiC por oxig\u00e9ntartalm\u00e1nak szintj\u00e9t\u0151l f\u00fcgg. K\u00e9miai \u00f6sszet\u00e9tel SIC>99%, F-C<0,1, Si+SiO2<0,1, Fe2O3<0,08. R\u00e9szecske alak \u00e9s m\u00e9ret \u00f6sszet\u00e9tele, a r\u00e9szecske alakja k\u00f6zel g\u00f6mb alak\u00fa a legkompaktabb halmaz\u00e1llapot el\u00e9r\u00e9se \u00e9rdek\u00e9ben.
\n A B4C \u00e9s a C hozz\u00e1ad\u00e1sa a szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s kateg\u00f3ri\u00e1j\u00e1ba tartozik, amely magasabb szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9kletet ig\u00e9nyel.A SiC szinterez\u00e9s\u00e9nek hajt\u00f3ereje: a porszemcs\u00e9k fel\u00fcleti energi\u00e1ja (Eb) \u00e9s a polikrist\u00e1lyos szintertest szemcs\u00e9inek hull\u00e1mz\u00f3 fel\u00fclete (Es) k\u00f6z\u00f6tti k\u00fcl\u00f6nbs\u00e9g, amely a rendszer szabad energi\u00e1j\u00e1nak cs\u00f6kken\u00e9s\u00e9hez vezet. Megfelel\u0151 mennyis\u00e9g\u0171 B4C-vel d\u00f3polva a B4C a szinterez\u00e9s sor\u00e1n a SiC szemcsehat\u00e1r\u00e1n van, r\u00e9szben szil\u00e1rd oldatot k\u00e9pez a SiC-vel, \u00edgy cs\u00f6kkenti a SiC szemcsehat\u00e1r kapacit\u00e1s\u00e1t. A m\u00e9rs\u00e9kelt mennyis\u00e9g\u0171 szabad C adal\u00e9kol\u00e1sa el\u0151ny\u00f6s a szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9shez, mivel a SiC fel\u00fclete \u00e1ltal\u00e1ban oxid\u00e1l\u00f3dik, ami kis mennyis\u00e9g\u0171 Si02 keletkez\u00e9s\u00e9hez vezet, \u00e9s a m\u00e9rs\u00e9kelt mennyis\u00e9g\u0171 C hozz\u00e1ad\u00e1sa seg\u00edt abban, hogy a SiC fel\u00fclet\u00e9n l\u00e9v\u0151 Si02 film redukci\u00f3ja elt\u00e1vol\u00edthat\u00f3 legyen, \u00edgy n\u00f6velve az Eb fel\u00fcleti energi\u00e1t.
\n A SiC rendszer 1,013x105 Pa nyom\u00e1son \u00e9s 1880 \u00b0C-n\u00e1l magasabb h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten bomlik \u00e9s szublim\u00e1l\u00f3dik. A SiC rendszer olyan g\u00e1zf\u00e1zisokat tartalmaz, mint a Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2, stb., \u00e9s a h\u0151m\u00e9rs\u00e9kletk\u00fcl\u00f6nbs\u00e9g a szublim\u00e1ci\u00f3s folyamat alapvet\u0151 hajt\u00f3ereje a SiC krist\u00e1lyok n\u00f6veked\u00e9se sor\u00e1n, \u00e9s az eg\u00e9sz folyamatot a t\u00f6megsz\u00e1ll\u00edt\u00e1s uralja. Ezek a k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 g\u00e1zf\u00e1zisok a SiC-rendszerben diff\u00fazi\u00f3val egyes\u00fclnek a SiC-krist\u00e1ly anyj\u00e1n, ami a SiC-krist\u00e1ly r\u00e9szecsk\u00e9k n\u00f6veked\u00e9s\u00e9hez vezet. A C+B4C szinterel\u00e9st seg\u00edt\u0151 rendszer mint\u00e1in\u00e1l a sz\u00fcks\u00e9ges szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet a t\u00falnyom\u00f3r\u00e9szt szil\u00e1rd f\u00e1zis\u00fa szinterez\u00e9s miatt magasabb, \u00e9s k\u00f6r\u00fclbel\u00fcl 1300 \u00b0C-on argont vezetnek be v\u00e9d\u0151g\u00e1zk\u00e9nt, mivel az argon kedvez\u0151en cs\u00f6kkenti a SiC boml\u00e1s\u00e1t 1300 \u00b0C feletti magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten. A SiC szinterezett test min\u0151s\u00e9g\u00e9nek m\u00e9r\u00e9se k\u00e9t sz\u00fcks\u00e9ges felt\u00e9tel: alacsony porozit\u00e1s a lehet\u0151 legs\u0171r\u0171bb; a szemcse a lehet\u0151 legkisebb.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}