{"id":735,"date":"2026-11-08T23:03:29","date_gmt":"2026-11-08T15:03:29","guid":{"rendered":"https:\/\/siliconcarbide.net\/?p=735"},"modified":"2026-11-08T23:03:29","modified_gmt":"2026-11-08T15:03:29","slug":"carbure-de-silicium-recristallise-destine-aux-accessoires-de-four","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/recrystallized-silicon-carbide-for-kiln-furniture\/","title":{"rendered":"Carbure de silicium recristallis\u00e9 pour le mobilier de four"},"content":{"rendered":"

Carbure de silicium recristallis\u00e9 (RSiC \/ RSC) \u2014 pour les accessoires de four, les buses de br\u00fbleurs et les pi\u00e8ces structurelles destin\u00e9es \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es<\/span><\/h1>\n

Si le cycle de votre four d\u00e9passe les 1 450 \u00b0C, implique un chauffage et un refroidissement rapides, et qu'un adjuvant de frittage ou une phase de silicium libre risque de constituer le maillon faible, voici la fiche technique que vous devriez consulter avant de faire votre choix.<\/span><\/strong> Le RSiC n'est pas \u201c une autre nuance de SiC \u201d. C'est la nuance que vous choisissez lorsque <\/span>la r\u00e9sistance aux chocs thermiques et la puret\u00e9 chimique priment sur la densit\u00e9 maximale<\/span><\/strong>.<\/span><\/p>\n

La seule distinction qui d\u00e9termine toutes les d\u00e9cisions ult\u00e9rieures<\/span><\/h2>\n

La plupart des pages des fournisseurs indiquent la densit\u00e9, la porosit\u00e9 et la r\u00e9sistance du RSiC, sans aller plus loin. Ces informations sont n\u00e9cessaires, mais pas suffisantes. La question d\u00e9terminante pour la prise de d\u00e9cision est la suivante : <\/span>Pourquoi quelqu'un choisirait-il d\u00e9lib\u00e9r\u00e9ment un carbure de silicium pr\u00e9sentant une porosit\u00e9 ouverte comprise entre 10 et 20% plut\u00f4t qu'un SSiC dense qui semble plus performant sur la fiche technique ?<\/span><\/strong><\/p>\n

La r\u00e9ponse r\u00e9side dans la microstructure. Le RSiC est obtenu par frittage d'une poudre de SiC de haute puret\u00e9 \u00e0 une temp\u00e9rature comprise entre environ 2 200 et 2 450 \u00b0C. <\/span>sans additifs de frittage<\/span><\/strong>. Les grains de carbure de silicium se d\u00e9veloppent selon un m\u00e9canisme d'\u00e9vaporation-condensation, formant ainsi des liaisons directes au niveau du col entre les grains. Le mat\u00e9riau ne r\u00e9tr\u00e9cit que tr\u00e8s peu lors de la cuisson, et l'espace que le SiC dense occuperait avec des adjuvants de frittage ou du silicium libre reste inoccup\u00e9 <\/span>porosit\u00e9 ouverte et interconnect\u00e9e<\/span><\/strong>. Cette porosit\u00e9 n'est pas un d\u00e9faut de fabrication. Il s'agit d'une caract\u00e9ristique fonctionnelle qui conf\u00e8re au RSiC sa r\u00e9sistance aux chocs thermiques et son inertie chimique.<\/span><\/p>\n

C'est ce crit\u00e8re de s\u00e9lection qui distingue un acheteur qui ma\u00eetrise les diff\u00e9rentes qualit\u00e9s de SiC de celui qui se contente de comparer la colonne \u00ab densit\u00e9 \u00bb.<\/span><\/p>\n

RSiC, SSiC et SiSiC\/RBSiC : le tableau comparatif que la plupart des fournisseurs ne publient pas sur la page de leurs produits<\/span><\/h2>\n
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Article<\/span><\/th>\nRSiC (recristallis\u00e9)<\/span><\/strong><\/th>\nSSiC (fritt\u00e9 sans pression)<\/span><\/strong><\/th>\nSiSiC \/ RBSiC (li\u00e9 par r\u00e9action)<\/span><\/strong><\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Puret\u00e9 du SiC<\/span><\/strong><\/td>\n\u226599%, <\/span>sans agent de frittage<\/span><\/strong><\/td>\nG\u00e9n\u00e9ralement >98%, contient des adjuvants de frittage \u00e0 base de bore et de carbone<\/span><\/td>\nSquelette en SiC + <\/span>8\u201315% : silicium libre<\/span><\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Porosit\u00e9 ouverte<\/span><\/strong><\/td>\n10\u201320% (fonctionnel, connect\u00e9)<\/span><\/strong><\/td>\nG\u00e9n\u00e9ralement <2\u20133%<\/span><\/td>\nPr\u00e8s de z\u00e9ro (pores remplis de Si)<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Temp\u00e9rature maximale de fonctionnement (air)<\/span><\/strong><\/td>\n~1 600\u20131 650 \u00b0C<\/span><\/strong><\/td>\n~1 500\u20131 550 \u00b0C (en fonction de l'aide)<\/span><\/td>\nLimit\u00e9 \u00e0 environ 1 400 \u00b0C en utilisation prolong\u00e9e<\/span><\/strong> (le Si libre s'adoucit)<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
R\u00e9sistance aux chocs thermiques<\/span><\/strong><\/td>\nExcellent<\/span><\/strong> \u2014 la principale raison pour laquelle le RSiC a \u00e9t\u00e9 choisi<\/span><\/td>\nC'est bien, mais limit\u00e9 par un corps plus massif et par les aides<\/span><\/td>\nMod\u00e9r\u00e9 ; la pr\u00e9sence de silicium libre introduit une phase \u00e0 bas point de fusion<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
R\u00e9sistance chimique<\/span><\/strong><\/td>\nExcellent \u2014 pas de Si libre, pas de phase vitreuse aux joints de grains<\/span><\/td>\nC'est bien, mais les adjuvants de frittage peuvent \u00eatre lessiv\u00e9s dans des milieux chimiques agressifs<\/span><\/td>\nLa pr\u00e9sence de silicium libre limite la r\u00e9sistance aux alcalis forts et \u00e0 l'acide fluorhydrique<\/span><\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
G\u00e9om\u00e9trie type \/ logique de co\u00fbts<\/span><\/strong><\/td>\nPlaques, poutres, tubes, buses \u2014 <\/span>pi\u00e8ces \u00e0 parois minces ayant subi des cycles thermiques<\/span><\/strong><\/td>\nPi\u00e8ces soumises \u00e0 une forte usure, joints d'\u00e9tanch\u00e9it\u00e9, petits composants de pr\u00e9cision<\/span><\/td>\nPi\u00e8ces de grande taille, complexes et de forme proche de la forme finale<\/span><\/strong> lorsque le co\u00fbt prime sur la temp\u00e9rature maximale<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n

R\u00e8gle de s\u00e9lection :<\/span><\/strong> faire correspondre la note \u00e0 <\/span>la temp\u00e9rature, l'atmosph\u00e8re, les contacts chimiques et les cycles thermiques \u2014 et non \u00e0 l'abr\u00e9viation \u201c SiC \u201d.\u201d<\/span><\/strong> Si l'application n\u00e9cessite une surface dense et \u00e0 faible porosit\u00e9 pour assurer l'\u00e9tanch\u00e9it\u00e9 ou r\u00e9sister \u00e0 l'usure, le RSiC n'est pas le bon choix. Si l'application implique des cycles r\u00e9p\u00e9t\u00e9s de chauffage et de refroidissement rapides \u00e0 des temp\u00e9ratures sup\u00e9rieures \u00e0 1 450 \u00b0C, et qu'une phase de silicium libre ou un adjuvant de frittage risquerait d'\u00eatre \u00e0 l'origine d'une d\u00e9faillance, le RSiC est souvent la seule nuance de SiC capable de r\u00e9sister \u00e0 ces conditions.<\/span>.<\/span><\/p>\n

Caract\u00e9ristiques techniques \u2014 les chiffres essentiels pour la d\u00e9finition des sp\u00e9cifications et le contr\u00f4le \u00e0 la r\u00e9ception<\/span><\/h2>\n

Le tableau ci-dessous pr\u00e9sente la plage de valeurs que vous devez utiliser comme <\/span>crit\u00e8re de r\u00e9f\u00e9rence pour l'\u00e9valuation des fiches techniques de tout fournisseur de RSiC<\/span><\/strong>. Les valeurs varient en fonction de la granulom\u00e9trie, du parcours de formage et du profil de cuisson ; s'il est demand\u00e9 \u00e0 un fournisseur de fournir un chiffre unique sans indiquer de fourchette, il convient de lui demander de pr\u00e9ciser la norme d'essai et la g\u00e9om\u00e9trie de l'\u00e9chantillon.<\/span><\/p>\n

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Param\u00e8tre<\/span><\/th>\nGamme type de RSiC<\/span><\/th>\nNote technique<\/span><\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Teneur en SiC<\/span><\/strong><\/td>\n\u226599 % en poids %<\/span><\/td>\nSans agent de frittage<\/span><\/strong> C'est l'argument de puret\u00e9 qui fait la diff\u00e9rence ; demandez une v\u00e9rification par ICP ou XRF.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Densit\u00e9 apparente<\/span><\/strong><\/td>\n2,0\u20132,75 g\/cm\u00b3<\/span><\/td>\nUne valeur plus faible indique une porosit\u00e9 plus \u00e9lev\u00e9e ; la densit\u00e9 \u00e0 elle seule ne constitue pas un crit\u00e8re de classement de la qualit\u00e9.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Porosit\u00e9 ouverte<\/span><\/strong><\/td>\n10\u201320% (classes de performance)<\/span><\/strong><\/td>\nLe <\/span>connect\u00e9<\/span><\/strong> C'est la nature de la porosit\u00e9 qui influe sur la perm\u00e9abilit\u00e9 et la r\u00e9sistance aux chocs thermiques, et pas seulement son pourcentage.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
R\u00e9sistance \u00e0 la flexion (RT)<\/span><\/strong><\/td>\n~80\u2013110 MPa<\/span><\/td>\nLe RSiC est <\/span>pas<\/span><\/strong> le SiC pr\u00e9sentant la r\u00e9sistance la plus \u00e9lev\u00e9e ; ne pas l'utiliser pour les \u00e9l\u00e9ments structurels soumis \u00e0 des charges, pour lesquels le SSiC serait plus r\u00e9sistant.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
R\u00e9sistance \u00e0 la flexion (1 200 \u00b0C)<\/span><\/strong><\/td>\n~90\u2013110 MPa<\/span><\/td>\nLe maintien de la r\u00e9sistance \u00e0 la temp\u00e9rature constitue un avantage majeur par rapport aux nuances contenant du silicium libre.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Temp\u00e9rature maximale de fonctionnement (air)<\/span><\/strong><\/td>\n~1 600\u20131 650 \u00b0C<\/span><\/strong><\/td>\nDe plus, la cin\u00e9tique d'oxydation s'acc\u00e9l\u00e8re ; la temp\u00e9rature maximale admissible en atmosph\u00e8re inerte peut atteindre environ 1 800 \u00b0C.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Temp\u00e9rature maximale d'utilisation (en milieu inerte)<\/span><\/strong><\/td>\n~1 800 \u00b0C<\/span><\/td>\nPr\u00e9cisez clairement le type d'atmosph\u00e8re lorsque vous comparez les arguments des fournisseurs.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Conductivit\u00e9 thermique (RT)<\/span><\/strong><\/td>\n~23 W\/m\u00b7K<\/span><\/td>\nMod\u00e9r\u00e9e, pas la plus \u00e9lev\u00e9e parmi les nuances de SiC, mais suffisante pour les accessoires de four et les tubes radiants.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
CTE (20\u20131 000 \u00b0C)<\/span><\/strong><\/td>\n~4,6\u20134,8 \u00d7 10\u207b\u2076 \/K<\/span><\/td>\nLe faible coefficient de dilatation est le fondement, au niveau du mat\u00e9riau, de la r\u00e9sistance aux chocs thermiques.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Param\u00e8tre de choc thermique R1<\/span><\/strong><\/td>\n~56 K<\/span><\/td>\nIl s'agit d'un indicateur comparatif ; utilisez-le pour classer les qualit\u00e9s de RSiC propos\u00e9es par diff\u00e9rents fournisseurs, et non comme un crit\u00e8re absolu de conformit\u00e9 ou de non-conformit\u00e9.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
Granulom\u00e9trie<\/span><\/strong><\/td>\n1 \u00e0 150 \u03bcm (longitudinal)<\/span><\/td>\nLa pr\u00e9sence de grains grossiers est normale dans le RSiC et contribue \u00e0 la structure en ponts ; des grains tr\u00e8s fins peuvent indiquer une qualit\u00e9 diff\u00e9rente.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n

Sources de donn\u00e9es issues des fiches techniques des fournisseurs ; les plages indiqu\u00e9es refl\u00e8tent les variations commerciales habituelles et ne constituent pas une garantie pour toutes les g\u00e9om\u00e9tries.<\/span><\/strong>.<\/span><\/p>\n

Dans quels cas la sp\u00e9cification RSiC est-elle correcte \u2014 et dans quels cas est-elle erron\u00e9e ?<\/span><\/h2>\n

Pr\u00e9voir l'utilisation de RSiC lorsque le mode de d\u00e9faillance est un choc thermique ou une attaque chimique \u00e0 temp\u00e9rature \u00e9lev\u00e9e.<\/span><\/h3>\n

Accessoires de four pour cycles de cuisson rapides.<\/span><\/strong> Plaques, poutres et rouleaux de r\u00e9glage minces soumis \u00e0 des cycles r\u00e9p\u00e9t\u00e9s de chauffage et de refroidissement rapides \u00e0 des temp\u00e9ratures sup\u00e9rieures \u00e0 1 450 \u00b0C. Le faible retrait observ\u00e9 lors du frittage du RSiC permet <\/span>profil\u00e9s \u00e0 paroi mince sans d\u00e9formation<\/span><\/strong>, et la porosit\u00e9 ouverte permet d'absorber les contraintes thermiques qui provoqueraient la fissuration d'un corps plus dense<\/span>.<\/span><\/p>\n

Buses de br\u00fbleur et tubes radiants.<\/span><\/strong> Les buses de br\u00fbleur en RSiC sont utilis\u00e9es dans les fours \u00e0 navette, les fours \u00e0 tunnel et les fours \u00e0 rouleaux, car elles r\u00e9sistent \u00e0 l'oxydation et aux cycles thermiques allant jusqu'\u00e0 environ 1 650\u20131 700 \u00b0C sans pr\u00e9senter les fissures qui apparaissent dans le SiC li\u00e9 par r\u00e9action lorsque le silicium libre devient la phase faible.<\/span>.<\/span><\/p>\n

Composants pour fours destin\u00e9s \u00e0 l'industrie des semi-conducteurs et du photovolta\u00efque.<\/span><\/strong> Le RSiC de haute puret\u00e9 est utilis\u00e9 pour <\/span>Pales, nacelles et composants internes de fours de diffusion pour le proc\u00e9d\u00e9 LPCVD<\/span><\/strong> lorsque la contamination m\u00e9tallique et la formation de particules doivent \u00eatre ma\u00eetris\u00e9es. C'est l'absence d'adjuvants de frittage qui est ici le crit\u00e8re d\u00e9terminant, et non la densit\u00e9.<\/span>.<\/span><\/p>\n

Tubes de protection des composants dans les fours \u00e0 atmosph\u00e8re contr\u00f4l\u00e9e.<\/span><\/strong> La porosit\u00e9 interconnect\u00e9e du RSiC ne compromet pas son inertie chimique dans la plupart des atmosph\u00e8res de four, et le mat\u00e9riau r\u00e9siste aux gradients thermiques \u00e0 travers la paroi du tube sans s'\u00e9cailler.<\/span><\/p>\n

Ne pas sp\u00e9cifier le RSiC lorsque les crit\u00e8res recherch\u00e9s sont la densit\u00e9, l'\u00e9tanch\u00e9it\u00e9 ou la r\u00e9sistance maximale.<\/span><\/h3>\n

Si la pi\u00e8ce doit assurer une \u00e9tanch\u00e9it\u00e9 sous vide, pr\u00e9senter une surface d'usure rod\u00e9e ou supporter une charge structurelle lorsque <\/span>La densit\u00e9 et la r\u00e9sistance sup\u00e9rieures du SSiC<\/span><\/strong> sont les propri\u00e9t\u00e9s d\u00e9terminantes, le RSiC n'est pas la nuance appropri\u00e9e. De m\u00eame, si la pi\u00e8ce est de grande taille, de g\u00e9om\u00e9trie complexe et si son co\u00fbt est un facteur d\u00e9terminant en dessous d'environ 1 400 \u00b0C, <\/span>SiSiC\/RBSiC<\/span><\/strong> est g\u00e9n\u00e9ralement le choix le plus appropri\u00e9 : son silicium libre comble la porosit\u00e9 et permet une fabrication \u00ab quasi-finale \u00bb, au prix de certaines contraintes li\u00e9es \u00e0 la temp\u00e9rature et aux produits chimiques<\/span>.<\/span><\/p>\n

R\u00e9ponses aux questions que les acheteurs posent r\u00e9ellement avant d'envoyer un appel d'offres<\/span><\/h2>\n

Le RSiC est-il identique au SSiC ?<\/span><\/strong> Non. Le SSiC est fritt\u00e9 sans pression \u00e0 l'aide d'adjuvants de frittage et pr\u00e9sente une structure dense. Le RSiC est recristallis\u00e9 sans additifs et conserve <\/span>porosit\u00e9 ouverte de conception<\/span><\/strong>. Il s'agit de mat\u00e9riaux diff\u00e9rents pr\u00e9sentant des compromis diff\u00e9rents en termes de propri\u00e9t\u00e9s ; ce ne sont pas des synonymes<\/span>.<\/span><\/p>\n

Le RSiC peut-il \u00eatre utilis\u00e9 \u00e0 des temp\u00e9ratures sup\u00e9rieures \u00e0 1 650 \u00b0C \u00e0 l'air libre ?<\/span><\/strong> La limite pratique en continu dans l'air est d'environ <\/span>1 600\u20131 650 \u00b0C<\/span><\/strong>. Certains fournisseurs indiquent des chiffres plus \u00e9lev\u00e9s pour une utilisation \u00e0 court terme ou en atmosph\u00e8re inerte ; demandez les <\/span>ambiance et dur\u00e9e<\/span><\/strong> derri\u00e8re toute demande d'indemnisation d'un montant sup\u00e9rieur.<\/span><\/p>\n

La porosit\u00e9 signifie-t-elle que la pi\u00e8ce est moins r\u00e9sistante ou de moins bonne qualit\u00e9 ?<\/span><\/strong> Cela signifie que le mat\u00e9riau est <\/span>compromis optimis\u00e9 pour r\u00e9sister aux chocs thermiques et garantir la puret\u00e9, et non pour offrir une r\u00e9sistance maximale<\/span><\/strong>. Si votre application ne n\u00e9cessite pas ces propri\u00e9t\u00e9s, un grade plus dense pourrait mieux vous convenir. La porosit\u00e9 est une variable technique, et non un signe de d\u00e9faut.<\/span><\/p>\n

Quelle est la diff\u00e9rence entre le RSiC et le SiSiC\/RBSiC en milieu chimique ?<\/span><\/strong> Le SiSiC\/RBSiC contient <\/span>silicium libre<\/span><\/strong>, ce qui limite son utilisation \u00e0 long terme \u00e0 des temp\u00e9ratures sup\u00e9rieures \u00e0 environ 1 400 \u00b0C et r\u00e9duit sa r\u00e9sistance aux milieux fortement alcalins et contenant de l'acide fluorhydrique. Le RSiC ne contient ni silicium libre ni phase vitreuse aux limites des grains, ce qui explique pourquoi il est privil\u00e9gi\u00e9 lorsque <\/span>inertie chimique en fonction de la temp\u00e9rature<\/span><\/strong> c'est une exigence<\/span>.<\/span><\/p>\n

Les pi\u00e8ces en RSiC peuvent-elles \u00eatre fournies dans des g\u00e9om\u00e9tries sur mesure, et pas uniquement sous forme de plaques et de tubes standard ?<\/span><\/strong> Oui, dans les limites g\u00e9om\u00e9triques impos\u00e9es par le processus de recristallisation. Le RSiC est particuli\u00e8rement adapt\u00e9 \u00e0 <\/span>formes \u00e0 parois minces et \u00e0 grande surface de base<\/span><\/strong> telles que les plaques et les poutres de fixation, mais les profil\u00e9s extr\u00eamement \u00e9pais ou comportant des cavit\u00e9s internes complexes peuvent \u00eatre fabriqu\u00e9s de mani\u00e8re plus \u00e9conomique dans une nuance obtenue par soudage par r\u00e9action. Veuillez nous transmettre un plan ainsi que les conditions d'exploitation afin que nous puissions \u00e9valuer la faisabilit\u00e9 de la fabrication.<\/span><\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Recrystallized Silicon Carbide (RSiC \/ RSC) \u2014 for Kiln Furniture, Burner Nozzles & High-Temperature Structural Parts If your furnace cycle runs above 1450\u00b0C, involves rapid heating\/cooling, and a sintering aid or free-silicon phase would become the weak link \u2014 this is the material page you should read before you specify. RSiC is not \u201canother SiC… <\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"off","neve_meta_content_width":70,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[23],"tags":[],"class_list":["post-735","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-recrystallized-silicon-carbide"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/735","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=735"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/735\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":736,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/735\/revisions\/736"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=735"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=735"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=735"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}