Le frittage de la c\u00e9ramique de carbure de silicium contenant des \u00e9l\u00e9ments C et B4C comme adjuvants de frittage est un frittage en phase solide, et le processus de frittage est principalement contr\u00f4l\u00e9 par le m\u00e9canisme de diffusion, avec une temp\u00e9rature de frittage optimale de 2150\u00b0C. Le processus de frittage est simple et facile \u00e0 contr\u00f4ler. Ajouter le contenu appropri\u00e9 de C + B4C additifs de frittage de carbure de silicium fritt\u00e9 processus de frittage est simple et facile \u00e0 contr\u00f4ler, frittage de la c\u00e9ramique par rapport \u00e0 la billette a environ 30% retrait de volume, vous pouvez obtenir une densit\u00e9 plus \u00e9lev\u00e9e, les propri\u00e9t\u00e9s m\u00e9caniques de carbure de silicium c\u00e9ramiques sp\u00e9ciales. Actuellement, les additifs de frittage couramment utilis\u00e9s sont B4C + C, BN + C, BP (phosphure de bore) + C, AI + C, AIN + C, etc. En ajoutant le contenu appropri\u00e9 de C + B4C SiC au processus de frittage sans pression, le processus pour ce type de sic fritt\u00e9 est simple, facile \u00e0 contr\u00f4ler, la densit\u00e9 du mat\u00e9riau est plus \u00e9lev\u00e9e, la densit\u00e9 maximale de 3,169\/cm3 (densit\u00e9 relative de 98,75%) ; les propri\u00e9t\u00e9s m\u00e9caniques sont meilleures, la r\u00e9sistance maximale \u00e0 la compression est de 550MPa.
\n La mati\u00e8re premi\u00e8re de carbure de silicium est de pr\u00e9f\u00e9rence une micropoudre unique d'une valeur D50 de 0,5 \u00e0 0,8 micron. Il s'agit g\u00e9n\u00e9ralement de microns de carbure de silicium vert trait\u00e9s chimiquement et ayant une surface sp\u00e9cifique de 20 m3\/g. La teneur en oxyg\u00e8ne doit \u00eatre aussi faible que possible ; en outre, la quantit\u00e9 de B ajout\u00e9e doit \u00eatre d'environ 0,5% - 1,5%, tandis que la quantit\u00e9 de C ajout\u00e9e d\u00e9pend du niveau de la teneur en oxyg\u00e8ne dans la poudre de SiC. Composition chimique SIC>99%, F-C<0,1, Si+SiO2<0,1, Fe2O3<0,08. Forme et taille des particules : la forme des particules est presque sph\u00e9rique afin d'obtenir l'empilement le plus compact possible.
\n La force motrice du frittage du SiC est la diff\u00e9rence entre l'\u00e9nergie de surface des particules de poudre (Eb) et la surface d'oscillation des grains du corps fritt\u00e9 polycristallin (Es), qui entra\u00eene une diminution de l'\u00e9nergie libre du syst\u00e8me. Dop\u00e9 avec une quantit\u00e9 appropri\u00e9e de B4C, le B4C se trouve sur le joint de grain du SiC pendant le frittage, formant partiellement une solution solide avec le SiC, ce qui r\u00e9duit la capacit\u00e9 du joint de grain du SiC. Le dopage d'une quantit\u00e9 mod\u00e9r\u00e9e de C libre est b\u00e9n\u00e9fique pour le frittage en phase solide car la surface du SiC est g\u00e9n\u00e9ralement oxyd\u00e9e, ce qui entra\u00eene la g\u00e9n\u00e9ration d'une petite quantit\u00e9 de Si02, et l'ajout d'une quantit\u00e9 mod\u00e9r\u00e9e de C permet d'\u00e9liminer la r\u00e9duction du film de Si02 sur la surface du SiC, augmentant ainsi l'\u00e9nergie de surface Eb.
\n Le syst\u00e8me SiC subit une d\u00e9composition et une sublimation \u00e0 1,013x105Pa et \u00e0 une temp\u00e9rature sup\u00e9rieure \u00e0 1880\u00b0C. Le syst\u00e8me SiC contient des phases gazeuses telles que Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2, etc., et la diff\u00e9rence de temp\u00e9rature est le moteur fondamental du processus de sublimation pendant la croissance des cristaux de SiC, et l'ensemble du processus est domin\u00e9 par le transport de masse. Ces diff\u00e9rentes phases gazeuses dans le syst\u00e8me SiC coalescent sur la m\u00e8re des cristaux de SiC par diffusion, ce qui conduit \u00e0 la croissance des particules de cristaux de SiC. Pour les \u00e9chantillons du syst\u00e8me d'aide au frittage C+B4C, la temp\u00e9rature de frittage requise est plus \u00e9lev\u00e9e en raison du frittage en phase solide pr\u00e9dominant, et l'argon est introduit comme atmosph\u00e8re protectrice \u00e0 environ 1300 \u00b0C, car l'argon est favorable \u00e0 la r\u00e9duction de la d\u00e9composition du SiC \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es sup\u00e9rieures \u00e0 1300 \u00b0C. Pour mesurer la qualit\u00e9 du corps fritt\u00e9 en SiC, deux conditions sont n\u00e9cessaires : une faible porosit\u00e9, aussi dense que possible, et des grains aussi petits que possible.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}