{"id":735,"date":"2026-11-08T23:03:29","date_gmt":"2026-11-08T15:03:29","guid":{"rendered":"https:\/\/siliconcarbide.net\/?p=735"},"modified":"2026-11-08T23:03:29","modified_gmt":"2026-11-08T15:03:29","slug":"uudelleenkiteytetty-piikarbidi-uunin-kalusteisiin","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/recrystallized-silicon-carbide-for-kiln-furniture\/","title":{"rendered":"Uudelleenkiteytetty piikarbidi uunikalusteisiin"},"content":{"rendered":"<h1><span class=\"\">Uudelleenkiteytetty piikarbidi (RSiC \/ RSC) \u2014 uunien kalusteisiin, polttimien suuttimiin ja korkean l\u00e4mp\u00f6tilan rakenneosien valmistukseen<\/span><\/h1>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Jos uuniprosessisi l\u00e4mp\u00f6tila ylitt\u00e4\u00e4 1450 \u00b0C, siihen liittyy nopeaa kuumentamista tai j\u00e4\u00e4hdytt\u00e4mist\u00e4 ja sintrausapuaine tai vapaa piivaihe muodostuisi heikoksi lenkiksi \u2014 t\u00e4m\u00e4 on se materiaalisivu, joka sinun tulisi lukea ennen materiaalin valintaa.<\/span><\/strong><span class=\"\"> RSiC ei ole \u201cvain yksi SiC-laatu muiden joukossa\u201d. Se on se laatu, jonka valitset, kun <\/span><strong><span class=\"\">l\u00e4mp\u00f6shokin kest\u00e4vyys ja kemiallinen puhtaus ovat t\u00e4rke\u00e4mpi\u00e4 kuin suurin tiheys<\/span><\/strong><span class=\"\">.<\/span><\/p>\n<h2><span class=\"\">Se yksi ero, joka vaikuttaa kaikkiin my\u00f6hempiin p\u00e4\u00e4t\u00f6ksiin<\/span><\/h2>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><span class=\"\">Useimmilla toimittajien sivuilla mainitaan RSiC:n tiheys, huokoisuus ja lujuus, mutta siin\u00e4 kaikki. N\u00e4m\u00e4 tiedot ovat v\u00e4ltt\u00e4m\u00e4tt\u00f6mi\u00e4, mutta eiv\u00e4t riit\u00e4. P\u00e4\u00e4t\u00f6ksenteon kannalta merkityksellinen kysymys on: <\/span><strong><span class=\"\">miksi kukaan valitsisi tahallaan piikarbidin, jonka avoin huokoisuus on 10\u201320%, tihe\u00e4n SSiC:n sijaan, joka n\u00e4ytt\u00e4\u00e4 paremmalta tuotetiedoissa?<\/span><\/strong><\/p>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><span class=\"\">Vastaus l\u00f6ytyy mikrorakenteesta. RSiC valmistetaan sintraamalla eritt\u00e4in puhdasta SiC-jauhetta noin 2200\u20132450 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tilassa <\/span><strong><span class=\"\">ilman sintrauslis\u00e4aineita<\/span><\/strong><span class=\"\">. Piikarbidirakeet kasvavat haihtumis- ja tiivistymismekanismin avulla, jolloin rakeiden v\u00e4lille muodostuu suoria kaulaliitoksia. Materiaali kutistuu polton aikana hyvin v\u00e4h\u00e4n, ja tila, jonka tihe\u00e4 SiC t\u00e4ytt\u00e4isi sintrausapuaineilla tai vapaalla piill\u00e4, j\u00e4\u00e4 <\/span><strong><span class=\"\">yhdistetty, avoin huokoisuus<\/span><\/strong><span class=\"\">. T\u00e4m\u00e4 huokoisuus ei ole valmistusvirhe. Se on toiminnallinen ominaisuus, joka antaa RSiC:lle sen l\u00e4mp\u00f6shokkinkest\u00e4vyyden ja kemiallisen inerttiyden.<\/span><\/p>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><span class=\"\">T\u00e4m\u00e4 on se arviointikriteeri, joka erottaa SiC-laatuja ymm\u00e4rt\u00e4v\u00e4n ostajan sellaisesta, joka vertailee ainoastaan tiheyssaraketta.<\/span><\/p>\n<h2><span class=\"\">RSiC vs. SSiC vs. SiSiC\/RBSiC: valintaopas, jota useimmat toimittajat eiv\u00e4t julkaise tuotesivuillaan<\/span><\/h2>\n<div class=\"ds-scroll-area ds-scroll-area--show-on-focus-within ds-scroll-area--enabled _1210dd7 c03cafe9\">\n<div class=\"ds-scroll-area__gutters\">\n<div class=\"ds-scroll-area__horizontal-gutter\">\n<div class=\"ds-scroll-area__horizontal-bar\">&nbsp;<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"ds-scroll-area__vertical-gutter\">&nbsp;<\/div>\n<\/div>\n<table>\n<thead>\n<tr>\n<th><span class=\"\">Tuote<\/span><\/th>\n<th><strong><span class=\"\">RSiC (uudelleenkiteytetty)<\/span><\/strong><\/th>\n<th><strong><span class=\"\">SSiC (paineeton sintraus)<\/span><\/strong><\/th>\n<th><strong><span class=\"\">SiSiC \/ RBSiC (reaktiosidottu)<\/span><\/strong><\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">SiC:n puhtaus<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">\u226599%, <\/span><strong><span class=\"\">ei sintrausapua<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">Tyypillisesti &gt;98%, sis\u00e4lt\u00e4\u00e4 boori- ja hiilipohjaisia sintrausapuaineita<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">SiC-runko + <\/span><strong><span class=\"\">8\u201315% vapaa pii<\/span><\/strong><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Avoin huokoisuus<\/span><\/strong><\/td>\n<td><strong><span class=\"\">10\u201320% (toimintakunnossa, kytketty)<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">Tyypillisesti &lt;2\u20133%<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">L\u00e4hes nolla (huokoset t\u00e4ynn\u00e4 Si:t\u00e4)<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Suurin k\u00e4ytt\u00f6l\u00e4mp\u00f6tila (ilma)<\/span><\/strong><\/td>\n<td><strong><span class=\"\">~1600\u20131650 \u00b0C<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">~1500\u20131550 \u00b0C (riippuu k\u00e4ytetyst\u00e4 apuaineesta)<\/span><\/td>\n<td><strong><span class=\"\">Rajoitettu noin 1400 \u00b0C:een pitk\u00e4aikaisk\u00e4yt\u00f6ss\u00e4<\/span><\/strong><span class=\"\"> (vapaa Si pehment\u00e4\u00e4)<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">L\u00e4mp\u00f6shokin kest\u00e4vyys<\/span><\/strong><\/td>\n<td><strong><span class=\"\">Erinomaista<\/span><\/strong><span class=\"\"> \u2014 t\u00e4rkein syy, miksi RSiC on valittu<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">Hyv\u00e4, mutta rajoittuu tiiviimm\u00e4n rungon ja apuv\u00e4lineiden vuoksi<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">Kohtalainen; vapaa pii aiheuttaa matalalla sulavan faasin<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Kemiallinen kest\u00e4vyys<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">Erinomaista \u2014 ei vapaata piit\u00e4, ei lasimaista raerajavaihetta<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">Hyv\u00e4, mutta sintrausapuaineet voivat liueta aggressiivisissa kemiallisissa olosuhteissa<\/span><\/td>\n<td><strong><span class=\"\">Vapaa pii heikent\u00e4\u00e4 kest\u00e4vyytt\u00e4 voimakkaita em\u00e4ksi\u00e4 ja HF:\u00e4\u00e4 vastaan<\/span><\/strong><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Tyypillinen geometria \/ kustannuslogiikka<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">Levyt, palkit, putket, suuttimet \u2014 <\/span><strong><span class=\"\">ohutsein\u00e4iset ja l\u00e4mp\u00f6syklitetyt osat<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">Tihe\u00e4sti kuluvat osat, tiivisteet, pienet tarkkuuskomponentit<\/span><\/td>\n<td><strong><span class=\"\">Suuret, monimutkaiset, l\u00e4hes lopullisen muodon mukaiset osat<\/span><\/strong><span class=\"\"> jos kustannukset ovat t\u00e4rke\u00e4mpi\u00e4 kuin maksimil\u00e4mp\u00f6tila<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Valintas\u00e4\u00e4nt\u00f6:<\/span><\/strong><span class=\"\"> sovittaa arvosanan <\/span><strong><span class=\"\">l\u00e4mp\u00f6tila, ymp\u00e4rist\u00f6olosuhteet, kemiallinen altistuminen ja l\u00e4mp\u00f6syklit \u2014 ei lyhenteeseen \u201cSiC\u201d.\u201d<\/span><\/strong><span class=\"\"> Jos sovelluksessa tarvitaan tihe\u00e4\u00e4, matalaporoista pintaa tiivist\u00e4mist\u00e4 tai kulutuskest\u00e4vyytt\u00e4 varten, RSiC ei ole oikea valinta. Jos sovelluksessa esiintyy toistuvia nopeita l\u00e4mmitys- ja j\u00e4\u00e4hdytysvaiheita yli 1450 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tilassa ja vapaa pii tai sintrausapufaasi voisi aiheuttaa vian, RSiC on usein ainoa SiC-laatu, joka kest\u00e4\u00e4 t\u00e4llaiset olosuhteet.<\/span><span class=\"\">.<\/span><\/p>\n<h2><span class=\"\">Tekniset tiedot \u2014 t\u00e4rke\u00e4t luvut tuotespesifikaatioita ja saapuvien tuotteiden tarkastusta varten<\/span><\/h2>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><span class=\"\">Alla olevassa taulukossa on esitetty kiinteist\u00f6valikoima, jota sinun tulisi k\u00e4ytt\u00e4\u00e4 <\/span><strong><span class=\"\">vertailukohde arvioitaessa mink\u00e4 tahansa RSiC-toimittajan tuotetietoja<\/span><\/strong><span class=\"\">. Arvot vaihtelevat raekoon, muovautumisreitin ja polttoprofiilin mukaan; toimittajalta, joka ilmoittaa yhden ainoan luvun ilman vaihteluv\u00e4li\u00e4, tulisi kysy\u00e4 testausstandardia ja n\u00e4ytteen geometriaa.<\/span><\/p>\n<div class=\"ds-scroll-area ds-scroll-area--show-on-focus-within ds-scroll-area--enabled _1210dd7 c03cafe9\">\n<div class=\"ds-scroll-area__gutters\">\n<div class=\"ds-scroll-area__horizontal-gutter\">&nbsp;<\/div>\n<div class=\"ds-scroll-area__vertical-gutter\">&nbsp;<\/div>\n<\/div>\n<table>\n<thead>\n<tr>\n<th><span class=\"\">Parametri<\/span><\/th>\n<th><span class=\"\">Tyypillinen RSiC-valikoima<\/span><\/th>\n<th><span class=\"\">Tekninen huomautus<\/span><\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">SiC-pitoisuus<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">\u226599 painoprosenttia%<\/span><\/td>\n<td><strong><span class=\"\">Ei sintrausapua<\/span><\/strong><span class=\"\"> on tuotteen puhtautta koskeva erottava v\u00e4ite; pyyd\u00e4 ICP- tai XRF-tarkastusta.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Irtotiheys<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">2,0\u20132,75 g\/cm\u00b3<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">Alempi arvo tarkoittaa suurempaa huokoisuutta; tiheys yksin\u00e4\u00e4n ei ole laadun mittari.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Avoin huokoisuus<\/span><\/strong><\/td>\n<td><strong><span class=\"\">10\u201320% (toiminnalliset laatuluokat)<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">The <\/span><strong><span class=\"\">kytketty<\/span><\/strong><span class=\"\"> Huokoisuuden laatu vaikuttaa l\u00e4p\u00e4isevyyteen ja l\u00e4mp\u00f6shokkiin, ei pelk\u00e4st\u00e4\u00e4n sen prosenttiosuus.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Taivutuslujuus (RT)<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">~80\u2013110 MPa<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">RSiC on <\/span><strong><span class=\"\">ei<\/span><\/strong><span class=\"\"> korkeimman lujuuden omaava SiC; \u00e4l\u00e4 k\u00e4yt\u00e4 sit\u00e4 kantavissa rakenneosissa, joissa SSiC olisi lujempaa.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Taivutuslujuus (1200 \u00b0C)<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">~90\u2013110 MPa<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">Lujuuden s\u00e4ilyminen l\u00e4mp\u00f6tilan vaikutuksesta on keskeinen etu verrattuna vapaata piit\u00e4 sis\u00e4lt\u00e4viin laatuun.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Suurin k\u00e4ytt\u00f6l\u00e4mp\u00f6tila (ilma)<\/span><\/strong><\/td>\n<td><strong><span class=\"\">~1600\u20131650 \u00b0C<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">T\u00e4m\u00e4n yl\u00e4puolella hapettumiskineettiset prosessit kiihtyv\u00e4t; inerttikaasuymp\u00e4rist\u00f6ss\u00e4 l\u00e4mp\u00f6tila voi nousta noin 1800 \u00b0C:een.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Suurin k\u00e4ytt\u00f6l\u00e4mp\u00f6tila (inertti)<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">~1800 \u00b0C<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">M\u00e4\u00e4rit\u00e4 ilmakeh\u00e4 nimenomaisesti, kun vertaat toimittajien v\u00e4itteit\u00e4.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">L\u00e4mm\u00f6njohtavuus (RT)<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">~23 W\/m\u00b7K<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">Kohtalainen, ei korkein SiC-laatuluokkien joukossa, mutta riitt\u00e4v\u00e4 uunikalusteisiin ja s\u00e4teilyputkiin.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">CTE (20\u20131000 \u00b0C)<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">~4,6\u20134,8 \u00d7 10\u207b\u2076 \/K<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">Pieni laajeneminen on l\u00e4mp\u00f6shokin kest\u00e4vyyden materiaalitason perusta.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">L\u00e4mp\u00f6shokkiparametri R1<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">~56 K<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">Vertaileva mittari; k\u00e4yt\u00e4 sit\u00e4 eri toimittajien RSiC-laatuluokkien vertailuun, ei absoluuttisena hyv\u00e4ksytty\/hyl\u00e4tty-kriteerin\u00e4.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong><span class=\"\">Raekoko<\/span><\/strong><\/td>\n<td><span class=\"\">1\u2013150 \u03bcm (pitkitt\u00e4issuunta)<\/span><\/td>\n<td><span class=\"\">RSiC:ss\u00e4 on tavallista, ett\u00e4 raekoko on karkea, ja t\u00e4m\u00e4 edist\u00e4\u00e4 silta-rakennetta; eritt\u00e4in hieno raekoko voi viitata eri laatuun.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Tietol\u00e4hteet perustuvat toimittajien tuotetietoihin; vaihteluv\u00e4lit kuvastavat normaalia kaupallista vaihtelua, eiv\u00e4tk\u00e4 ne takaa sopivuutta kaikille geometrioille<\/span><\/strong><span class=\"\">.<\/span><\/p>\n<h2><span class=\"\">Miss\u00e4 RSiC on oikea m\u00e4\u00e4ritelm\u00e4 \u2013 ja miss\u00e4 se on v\u00e4\u00e4r\u00e4<\/span><\/h2>\n<h3><span class=\"\">M\u00e4\u00e4rit\u00e4 RSiC, kun vikaantumistapa on l\u00e4mp\u00f6shokki tai kemiallinen kuluminen tietyss\u00e4 l\u00e4mp\u00f6tilassa<\/span><\/h3>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Uunitarvikkeet nopeisiin polttosykleihin.<\/span><\/strong><span class=\"\"> Ohut asennuslevyt, palkit ja rullat, jotka altistuvat toistuvasti nopealle kuumenemiselle ja j\u00e4\u00e4htymiselle yli 1450 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tilassa. RSiC-sintrauksen aikana tapahtuva v\u00e4h\u00e4inen kutistuminen mahdollistaa <\/span><strong><span class=\"\">ohutsein\u00e4iset profiilit, joissa ei esiinny v\u00e4\u00e4ntymist\u00e4<\/span><\/strong><span class=\"\">, ja avoin huokoisuus sallii l\u00e4mp\u00f6j\u00e4nnityksen, joka muuten aiheuttaisi halkeamia tihe\u00e4mm\u00e4ss\u00e4 kappaleessa<\/span><span class=\"\">.<\/span><\/p>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Polttimen suuttimet ja s\u00e4teilyputket.<\/span><\/strong><span class=\"\"> RSiC-polttosuuttimia k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n kuljetus-, tunneli- ja rullauuneissa, koska ne kest\u00e4v\u00e4t hapettumista ja l\u00e4mp\u00f6syklej\u00e4 jopa noin 1650\u20131700 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tiloissa ilman halkeilua, jota esiintyy reaktiosidoksisessa SiC:ss\u00e4, kun vapaa pii muuttuu heikoksi faasiksi<\/span><span class=\"\">.<\/span><\/p>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Puolijohde- ja aurinkos\u00e4hk\u00f6uunien komponentit.<\/span><\/strong><span class=\"\"> Eritt\u00e4in puhdasta RSiC:t\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n <\/span><strong><span class=\"\">LPCVD-levyt, -astiat ja diffuusio-uunin sis\u00e4osat<\/span><\/strong><span class=\"\"> joissa metallipitoisuutta ja hiukkasten muodostumista on rajoitettava. T\u00e4ss\u00e4 tapauksessa m\u00e4\u00e4r\u00e4\u00e4v\u00e4 tekij\u00e4 on sintrausapuaineiden puuttuminen, ei tiheys<\/span><span class=\"\">.<\/span><\/p>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Komponenttien suojaputket ilmakeh\u00e4uuneissa.<\/span><\/strong><span class=\"\"> RSiC:n huokoisuus ei heikenn\u00e4 sen kemiallista inerttiytt\u00e4 useimmissa uunien ilmakehiss\u00e4, ja materiaali kest\u00e4\u00e4 putken sein\u00e4m\u00e4n l\u00e4pi kulkevat l\u00e4mp\u00f6gradientit ilman, ett\u00e4 siit\u00e4 irtoaa palasia.<\/span><\/p>\n<h3><span class=\"\">\u00c4l\u00e4 m\u00e4\u00e4rit\u00e4 RSiC:t\u00e4, kun vaatimuksena on tiheys, tiivistys tai suurin lujuus<\/span><\/h3>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><span class=\"\">Jos osan on muodostettava tyhji\u00f6tiiviste, sen kulutuspinnan on oltava hiottu tai sen on kannettava rakenteellista kuormitusta, kun <\/span><strong><span class=\"\">SSiC:n suurempi tiheys ja lujuus<\/span><\/strong><span class=\"\"> ovat ratkaisevat ominaisuudet, RSiC on v\u00e4\u00e4r\u00e4 laatu. Vastaavasti, jos kappale on suuri, geometrisesti monimutkainen ja kustannusherkk\u00e4 alle ~1400 \u00b0C:ssa, <\/span><strong><span class=\"\">SiSiC\/RBSiC<\/span><\/strong><span class=\"\"> on yleens\u00e4 sopivampi vaihtoehto \u2014 sen vapaa pii t\u00e4ytt\u00e4\u00e4 huokoset ja mahdollistaa l\u00e4hes lopullisen muodon mukaisen valmistuksen, vaikka se asettaa rajoituksia korkeiden l\u00e4mp\u00f6tilojen ja kemiallisten olosuhteiden suhteen<\/span><span class=\"\">.<\/span><\/p>\n<h2><span class=\"\">Vastauksia kysymyksiin, joita ostajat todellisuudessa esitt\u00e4v\u00e4t ennen tarjouspyynn\u00f6n l\u00e4hett\u00e4mist\u00e4<\/span><\/h2>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Onko RSiC sama asia kuin SSiC?<\/span><\/strong><span class=\"\"> Ei. SSiC sintrataan ilman painetta sintrausapuaineiden avulla, ja se on tihe\u00e4\u00e4. RSiC uudelleenkiteytet\u00e4\u00e4n ilman lis\u00e4aineita, ja se s\u00e4ilytt\u00e4\u00e4 <\/span><strong><span class=\"\">suunnittelun mukainen avoin huokoisuus<\/span><\/strong><span class=\"\">. Ne ovat erilaisia materiaaleja, joilla on erilaiset ominaisuuksien v\u00e4liset kompromissit; ne eiv\u00e4t ole synonyymej\u00e4<\/span><span class=\"\">.<\/span><\/p>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Voidaanko RSiC:t\u00e4 k\u00e4ytt\u00e4\u00e4 yli 1650 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tilassa ilmassa?<\/span><\/strong><span class=\"\"> Ilmassa k\u00e4yt\u00e4nn\u00f6ss\u00e4 m\u00e4\u00e4ritelty jatkuva raja-arvo on suunnilleen <\/span><strong><span class=\"\">1600\u20131650 \u00b0C<\/span><\/strong><span class=\"\">. Jotkut toimittajat ilmoittavat suurempia lukuja lyhytaikaiseen k\u00e4ytt\u00f6\u00f6n tai k\u00e4ytt\u00f6\u00f6n inertiss\u00e4 ilmakeh\u00e4ss\u00e4; pyyd\u00e4 <\/span><strong><span class=\"\">ilmapiiri ja kesto<\/span><\/strong><span class=\"\"> kaikkien sit\u00e4 korkeampien vaatimusten takana.<\/span><\/p>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Tarkoittaako huokoisuus sit\u00e4, ett\u00e4 osa on heikompi tai huonolaatuisempi?<\/span><\/strong><span class=\"\"> Se tarkoittaa, ett\u00e4 materiaali on <\/span><strong><span class=\"\">optimoitu l\u00e4mp\u00f6shokin ja puhtauden v\u00e4lisen tasapainon perusteella, ei maksimaalisen lujuuden saavuttamiseksi<\/span><\/strong><span class=\"\">. Jos sovelluksessasi ei tarvita n\u00e4it\u00e4 ominaisuuksia, tihe\u00e4mpi laatu saattaa sopia sinulle paremmin. Huokoisuus on teknisen erittelyn muuttuja, ei vian merkki.<\/span><\/p>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Mik\u00e4 on RSiC:n ja SiSiC\/RBSiC:n ero kemiallisissa sovelluksissa?<\/span><\/strong><span class=\"\"> SiSiC\/RBSiC sis\u00e4lt\u00e4\u00e4 <\/span><strong><span class=\"\">vapaa pii<\/span><\/strong><span class=\"\">, mik\u00e4 rajoittaa sen pitk\u00e4aikaista k\u00e4ytt\u00f6\u00e4 yli ~1400 \u00b0C:ssa ja heikent\u00e4\u00e4 sen kest\u00e4vyytt\u00e4 voimakkaasti em\u00e4ksisiss\u00e4 ja fluorivetyhappoa sis\u00e4lt\u00e4viss\u00e4 ymp\u00e4rist\u00f6iss\u00e4. RSiC:ss\u00e4 ei ole vapaata piit\u00e4 eik\u00e4 lasimaista raerajavaihetta, mink\u00e4 vuoksi sit\u00e4 pidet\u00e4\u00e4n parempana vaihtoehtona, kun <\/span><strong><span class=\"\">kemiallinen inerttiys l\u00e4mp\u00f6tilassa<\/span><\/strong><span class=\"\"> on vaatimus<\/span><span class=\"\">.<\/span><\/p>\n<p class=\"ds-markdown-paragraph\"><strong><span class=\"\">Voidaanko RSiC-osia toimittaa my\u00f6s asiakkaan toivomien muotojen mukaisina, eik\u00e4 pelk\u00e4st\u00e4\u00e4n vakiomallisina levyin\u00e4 ja putkina?<\/span><\/strong><span class=\"\"> Kyll\u00e4, uudelleenkiteytymisprosessin geometristen rajoitusten puitteissa. RSiC sopii hyvin <\/span><strong><span class=\"\">ohutsein\u00e4iset, laajapohjaiset muodot<\/span><\/strong><span class=\"\"> kuten kiinnityslevyt ja palkit, mutta eritt\u00e4in paksut profiilit tai monimutkaiset sis\u00e4ontelot voidaan valmistaa taloudellisemmin reaktioliimattua ter\u00e4slaatua k\u00e4ytt\u00e4m\u00e4ll\u00e4. L\u00e4het\u00e4 piirros ja k\u00e4ytt\u00f6olosuhteet, jotta voimme arvioida tuotettavuuden.<\/span><\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Recrystallized Silicon Carbide (RSiC \/ RSC) \u2014 for Kiln Furniture, Burner Nozzles &amp; High-Temperature Structural Parts If your furnace cycle runs above 1450\u00b0C, involves rapid heating\/cooling, and a sintering aid or free-silicon phase would become the weak link \u2014 this is the material page you should read before you specify. RSiC is not \u201canother SiC&hellip;&nbsp;<\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"off","neve_meta_content_width":70,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[23],"tags":[],"class_list":["post-735","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-recrystallized-silicon-carbide"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/735","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=735"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/735\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":736,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/735\/revisions\/736"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=735"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=735"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=735"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}