Surveta paagutatud r\u00e4nikarbiidi peetakse k\u00f5ige paljulubavamaks paagutatud r\u00e4nikarbiidiks ning surveta paagutamisprotsessi abil on v\u00f5imalik valmistada keeruka kujuga ja suurem\u00f5\u00f5tmelisi r\u00e4nikarbiidkeraamika tooteid. S\u00f5ltuvalt paagutamismehhanismist v\u00f5ib seda t\u00fc\u00fcpi paagutatud r\u00e4nikarbiidi jagada veel tahkfaasi- ja vedelafaasi paagutamiseks. SiO j\u00e4lgikoguseid sisaldavat \u03b2-SiC-d saab paagutada atmosf\u00e4\u00e4rir\u00f5hul, lisades B ja C. See meetod parandab oluliselt r\u00e4nikarbiidi paagutamise kineetikat. Sobiva koguse B-ga legeerimisel asub B paagutamise ajal SiC-terade piiridel ja moodustab osaliselt SiC-ga tahke lahuse, v\u00e4hendades seel\u00e4bi SiC-terade piirienergiat. M\u00f5\u00f5duka koguse vaba C lisamine on kasulik tahkfaasi paagutamisel, kuna SiC pind oks\u00fcdeerub tavaliselt, tekitades v\u00e4ikese koguse SiO-d, ning m\u00f5\u00f5duka koguse C lisamine aitab SiC pinnal olevat SiO-kihti redutseerida ja eemaldada, suurendades seel\u00e4bi pindenergiat. Vedelfaasi paagutamisel on sellel aga negatiivne m\u00f5ju, kuna s\u00fcsinik reageerib oksiidilisanditega, tekitades gaasi, mille tagaj\u00e4rjel tekib keraamilisse paagutatud kehas suur hulk avausid, mis m\u00f5jutab tihedamaks muutumise protsessi. Tooraine puhtus, peenus ja faasikoostis on r\u00e4nikarbiidi paagutamisprotsessis v\u00e4ga olulised.S. Proehazka paagutas r\u00e4nikarbiidi, mille tihedus oli suurem kui 98%, temperatuuril 2020 \u00b0C atmosf\u00e4\u00e4rir\u00f5hul, lisades \u00fcheaegselt sobivaid koguseid boori ja s\u00fcsinikku \u00fclipeenele \u03b2-SiC-pulbrile (mis sisaldas v\u00e4hem kui 2% hapnikku). SiC-B-C s\u00fcsteem kuulub siiski tahkfaasi paagutamise kategooriasse, mis n\u00f5uab k\u00f5rget paagutamistemperatuuri ning millel on madal murdumiskindlus; murdumise viisiks on t\u00fc\u00fcpiline kristallil\u00e4biv murdumine, j\u00e4medad terad ja halb \u00fchtlus. V\u00e4lisriikide SiC-alased uuringud keskenduvad peamiselt vedelafaasilisele paagutamisele, st teatava arvu paagutuslisandite kasutamisele madalamal temperatuuril, et saavutada SiC tihenemine. SiC vedelafaasiline paagutamine mitte ainult ei v\u00e4henda paagutamistemperatuuri v\u00f5rreldes tahkfaasilise paagutamisega, vaid parandab ka mikrostruktuuri, mist\u00f5ttu on paagutatud keha omadused paremad kui tahkfaasiliselt paagutatud kehal.
\nM. Omori jt kasutasid AlO-ga v\u00f5i boriididega segatud haruldaste muldmetallide oksiide, et paagutada SiC tihedaks. Suzuki aga paagutas SiC-d ainult AlO-d lisandina umbes 2000 \u00b0C juures. A. Mulla jt paagutasid 0,5 \u03bcm suurust \u03b2-SiC-d (osakeste pinnal oli v\u00e4ike kogus SiO-d) AlO ja YO lisanditega temperatuuril1850\u20131950 \u00b0C juures ning saavutasid SiC-keraamika suhtelise tiheduse, mis \u00fcletas 95% teoreetilisest tihedusest, ning terad olid peenikesed, keskmise suurusega 1,5 \u03bcm.
\nSelgus, et r\u00e4nikarbiidkeraamika mikrostruktuur koosneb j\u00e4medatest teradest ja varrasj\u00e4lgse struktuuriga, millel on hea murdumiskindlus. Vardakujulised terad suurendavad murdumiskindlust, v\u00e4hendades samas r\u00e4nikarbiidkeraamika tugevust. Selleks et saavutada paremat tugevust ja murdumiskindlust ning samal ajal alandada paagutamistemperatuuri, on tehtud palju katseid selle paagutatud r\u00e4nikarbiidi omaduste parandamiseks, reguleerides klaasifaasi koostist erinevate lisanditega. Paagutamisprotsessi k\u00e4igus p\u00f5hjustas vedelafaasi tekkimine terade piiridel ja ainulaadne faasipiiristruktuur faasipiiristruktuuri n\u00f5rgenemist ning materjali murdumine muutus t\u00e4ielikuks kristallipikisuunalise murdumise re\u017eiimiks, mille tulemusena suurenesid materjali tugevus ja sitkus m\u00e4rkimisv\u00e4\u00e4rselt. Kuid arvestades, et AlO-lisandi kasutamine tekitab madala sulamistemperatuuriga ja suure lenduvusega klaasifaasi, mis k\u00f5rgematel temperatuuridel tugevalt aurustub, p\u00f5hjustades materjali kaalukaotust ja m\u00f5jutades negatiivselt materjali tihenemist, tuleks AlO massiosakaalu lisandis asjakohaselt suurendada.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Pressureless sintered silicon carbide is considered to be the most promising sintered silicon carbide, and complex shapes and large sizes of silicon carbide ceramics can be prepared by the pressureless sintering process. Depending on the sintering mechanism, this kind of sintered silicon carbide can be further divided into solid-phase sintering and liquid-phase sintering. \u03b2-SiC containing… <\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-578","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=578"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":579,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/578\/revisions\/579"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=578"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=578"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=578"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}