C- ja B\u2084C-elemente paagutusabiainetena sisaldava r\u00e4nikarbiidkeraamika paagutamine toimub tahkfaasi paagutamisena ning paagutusprotsessi juhib peamiselt difusioonimehhanism, kusjuures optimaalne paagutustemperatuur on 2150 \u00b0C. Paagutusprotsess on lihtne ja h\u00f5lpsasti kontrollitav. Kui lisada paagutatud r\u00e4nikarbiidi paagutamisprotsessile sobiv kogus C + B4C paagutuslisandeid, on protsess lihtne ja h\u00f5lpsasti kontrollitav; v\u00f5rreldes toorikuga on keraamilise materjali paagutamisel mahukahanemine umbes 30%, mille tulemusena on v\u00f5imalik saavutada suurem tihedus ja paremaid mehaanilisi omadusi omav r\u00e4nikarbiidist erikeraamika. Praegu on levinumad paagutuslisandid B\u2084C + C, BN + C, BP (boorfosfiid) + C, Al + C, AlN + C jne. Kui lisada sobiv kogus C + B4C-d SiC-i r\u00f5huvabasse paagutamisprotsessi, on sellise paagutatud SiC-i tootmisprotsess lihtne ja h\u00f5lpsasti kontrollitav, materjali tihedus on suurem, maksimaalne tihedus on 3,169\/cm\u00b3 (suhteline tihedus 98,75%); mehaanilised omadused on paremad, maksimaalne survetugevus on 550 MPa.
\n R\u00e4nikarbiidi toorainena kasutatakse eelistatavalt D50-v\u00e4\u00e4rtusega 0,5\u20130,8 mikronit \u00fcheosakestest koosnevat mikropulbrit. Tavaliselt on tegemist keemiliselt t\u00f6\u00f6deldud toore r\u00e4nikarbiidiga, mille osakeste suurus on mikronites ja eripindala 20 m\u00b3\/g. Hapnikusisaldus peaks olema v\u00f5imalikult madal; lisaks tuleks lisatava B kogus valida vahemikku 0,5% \u2013 1,5%, samas kui lisatava C kogus s\u00f5ltub SiC-pulbri hapnikusisalduse tasemest. Keemiline koostis: SiC > 99,1%, F-C < 0,1, Si + SiO\u2082 < 0,1, Fe\u2082O\u2083 < 0,08. Osakeste kuju ja suuruse jaotus: osakeste kuju on peaaegu sf\u00e4\u00e4riline, et saavutada v\u00f5imalikult kompaktne kihistumine.
\n B4C ja C lisamine kuulub tahkfaasi paagutamise kategooriasse, mis n\u00f5uab k\u00f5rgemaid paagutamistemperatuure.SiC paagutamise liikumapanev j\u00f5ud on: pulberosakeste pindenergia (Eb) ja pol\u00fckristallilise paagutatud keha terade k\u00f5ikumispinna (Es) vahe, mis viib s\u00fcsteemi vaba energia v\u00e4henemiseni. Kui lisada sobiv kogus B4C-d, asub B4C paagutamise ajal SiC-terade piiril, moodustades osaliselt SiC-ga tahke lahuse, v\u00e4hendades seel\u00e4bi SiC-terade piiride pindala. M\u00f5\u00f5duka koguse vaba C lisamine soodustab tahkfaasi paagutamist, kuna SiC pind on tavaliselt oks\u00fcdeerunud, mille tulemusena tekib v\u00e4ike kogus SiO\u2082, ning m\u00f5\u00f5duka koguse s\u00fcsiniku lisamine aitab eemaldada SiC pinnal olevat SiO\u2082-kihti, suurendades seel\u00e4bi pindenergiat Eb.
\n SiC-s\u00fcsteem l\u00e4bib lagunemise ja sublimatsiooni r\u00f5hul 1,013\u00d710\u2075 Pa ja temperatuuril \u00fcle 1880 \u00b0C. SiC-s\u00fcsteem sisaldab selliseid gaasifaase nagu Si, Si\u2082, Si\u2083, C, C\u2082, C\u2083, C\u2084, C\u2085, SiC, Si\u2082C, SiC\u2082, jne, ning temperatuurierinevus on SiC-kristallide kasvu ajal sublimatsiooniprotsessi peamine ajend, kusjuures kogu protsessi domineerib massi\u00fclekande protsess. Need SiC-s\u00fcsteemi erinevad gaasifaasid \u00fchinevad difusiooni teel SiC-kristallide emakristallil, mille tulemusena tekivad SiC-kristalliosakesed. C+B\u2084C paagutamisabiaine s\u00fcsteemi proovide puhul on vajalik paagutustemperatuur k\u00f5rgem, kuna paagutamine toimub peamiselt tahkes faasis, ning umbes 1300 \u00b0C juures juhitakse sisse argonit kaitseatmosf\u00e4\u00e4rina, sest argon aitab v\u00e4hendada SiC lagunemist k\u00f5rgetel temperatuuridel \u00fcle 1300 \u00b0C. SiC paagutatud keha kvaliteedi hindamiseks on kaks vajalikku tingimust: v\u00f5imalikult madal poorsus ja v\u00f5imalikult v\u00e4ikesed terad.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives… <\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/et\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}