rekristalliseeritud ränikarbiid

Kõrge temperatuuri ja teatud rõhu mõjul moodustuvad jämedad toorained ja peenikese SiC-pulbrid, mis rekristalliseeritakse vaakumpaagutamise teel – peenikese SiC-pulbri aurustumise ja jämedate SiC-osakeste koagulatsiooni kaudu –, mille tulemusena saadakse rekristalliseeritud ränikarbiid.Tänu oma kõrgele puhtusastmele (SiC > 99,51%) ja vahepealse sidumisfaasi puudumisele on rekristalliseeritud ränikarbiidist ahjutarvikutel suurepärased kõrgtemperatuursed mehaanilised omadused ning maksimaalne töötemperatuur võib ulatuda 1700 °C-ni. Rekristalliseeritud ränikarbiidil on keraamilistes toodetes hea kõrgtemperatuuritaluvus, mis suureneb temperatuuri tõusuga. See praktiliselt ei kahaneks. Samal ajal on rekristalliseeritud ränikarbiidil hea soojusjuhtivus, termilise šoki vastupidavus, oksüdeerumisvastupidavus ning happelise ja aluselise korrosioonikindlus. Seetõttu saab rekristalliseeritud ränikarbiidist valmistada erinevaid geomeetrilisi kujundeid vastavalt erinevatele kasutusotstarvetele, eriti kõrgetel temperatuuridel.

Rekristalliseeritud SiC sobib kasutamiseks ahjutarvikutena ja -lisaseadmetena keraamika-, tulekindlate materjalide, elektrilise keraamika, elektroonika- ja muudes tööstusharudes. RSiC-ahjutarvikute silmapaistvateks omadusteks on mõõtmete stabiilsus, kõrge temperatuuritaluvus ja hea energiasäästlikkus. Rekristalliseeritud SiC-st saab valmistada varrasteid, õõnseid talasid, katteplaate ja erikujulisi detaile. Halsic R-l on ka hea oksüdatsiooni- ja erosioonikindlus, kõrge kõvadus ja kulumiskindlus. Halsic R-i saab kasutada metallurgias, masinaehituses, keemiatööstuses ja sõjatööstuses.