rekristalliseerunud ränikarbiid |

rekristalliseerunud ränikarbiid

Jämedad toorained ja peened SiC-pulbrid moodustuvad kõrge temperatuuri ja teatud rõhu all, need rekristalliseeruvad vaakumis paagutamise teel, peente SiC-pulbrite aurustumisel ja jämedate SiC-osakeste koagulatsioonil,siis saame rekristalliseerunud ränikarbiidi.Selle kõrge puhtuse (SIC > 99,5%) ja vahepealse sidumisfaasi puudumise tõttu on sellel suurepärased kõrge temperatuuriga mehaanilised omadused ja maksimaalne töötemperatuur võib ulatuda 1700 C. Rekristalliseerunud ränikarbiidil on hea kõrge temperatuurikindlus keraamilistes toodetes ja see suureneb koos...

Loe edasi