Ränikarbiidkeraamika vormimismeetod

Ränikarbiidkeraamikat valmistatakse kahel viisil: reaktsioonisidumise ja paagutamise teel. Mõlemad valmistusmeetodid mõjutavad oluliselt lõpliku toote mikrostruktuuri.

Reaktsioonisidestatud ränikarbiidkeraamika (RBSIC või SISIC) valmistatakse SiC ja süsiniku segust valmistatud presskeha läbimärgimise teel vedela räniga. Räniga reageerib süsinik, moodustades rohkem SiC-d, mis seob esialgsed SiC-osakesed omavahel kokku.

Paagutatud ränikarbiidkeraamika (SSiC) toodetakse puhtast SiC-pulbrist, kasutades paagutamisel mitteoksiidseid abiaineid. Kasutatakse tavapäraseid keraamiliste materjalide vormimisprotsesse ning materjal paagutatakse inertses keskkonnas temperatuuril kuni 2000 °C või kõrgemal.

Mõlemad ränikarbiidi (SiC) vormid on äärmiselt kulumiskindlad ja neil on head mehaanilised omadused, sealhulgas kõrge temperatuuritaluvus ja termilise šoki vastupidavus.