La sinterizaci\u00f3n de la cer\u00e1mica de carburo de silicio que contiene elementos C y B4C como auxiliares de sinterizaci\u00f3n es una sinterizaci\u00f3n en fase s\u00f3lida, y el proceso de sinterizaci\u00f3n est\u00e1 controlado principalmente por el mecanismo de difusi\u00f3n, con una temperatura \u00f3ptima de sinterizaci\u00f3n de 2150\u00b0C. El proceso de sinterizaci\u00f3n es sencillo y f\u00e1cil de controlar. A\u00f1adir el contenido adecuado de aditivos de sinterizaci\u00f3n C + B4C de carburo de silicio sinterizado proceso de sinterizaci\u00f3n es simple y f\u00e1cil de controlar, sinterizaci\u00f3n de cer\u00e1mica en comparaci\u00f3n con el tocho tiene alrededor de 30% contracci\u00f3n de volumen, se puede obtener una mayor densidad, propiedades mec\u00e1nicas de carburo de silicio cer\u00e1mica especial. En la actualidad, los aditivos de sinterizaci\u00f3n com\u00fanmente utilizados son B4C + C, BN + C, BP (fosfuro de boro) + C, AI + C, AIN + C y as\u00ed sucesivamente. A\u00f1adir el contenido adecuado de C + B4C SiC proceso de sinterizaci\u00f3n sin presi\u00f3n, el proceso para este tipo sinterizado sic es simple, f\u00e1cil de controlar, la densidad del material es mayor, la densidad m\u00e1xima de 3,169\/cm3 (densidad relativa de 98,75%); propiedades mec\u00e1nicas son mejores, la resistencia m\u00e1xima a la compresi\u00f3n de 550MPa.
\n La materia prima de carburo de silicio es preferiblemente un micropolvo simple de valor D50 de 0,5 - 0,8 micras. Normalmente se trata de micrones de carburo de silicio verde tratados qu\u00edmicamente con una superficie espec\u00edfica de 20 m3\/g. Y el contenido de ox\u00edgeno debe ser lo m\u00e1s bajo posible; adem\u00e1s, la cantidad de B a\u00f1adida debe elegirse en torno a 0,5% - 1,5%, mientras que la cantidad de C a\u00f1adida depende del nivel de contenido de ox\u00edgeno en el polvo de SiC. Composici\u00f3n qu\u00edmica SIC>99%, F-C<0,1, Si+SiO2<0,1, Fe2O3<0,08. Forma de la part\u00edcula y composici\u00f3n del tama\u00f1o, la forma de la part\u00edcula es casi esf\u00e9rica para conseguir el apilamiento m\u00e1s compacto.
\n La adici\u00f3n de B4C y C pertenece a la categor\u00eda de sinterizaci\u00f3n en fase s\u00f3lida, que requiere temperaturas de sinterizaci\u00f3n m\u00e1s elevadas.La fuerza motriz de la sinterizaci\u00f3n del SiC es: la diferencia entre la energ\u00eda superficial de las part\u00edculas de polvo (Eb) y la superficie de bamboleo de los granos del cuerpo policristalino sinterizado (Es), que conduce a una disminuci\u00f3n de la energ\u00eda libre del sistema. Dopado con una cantidad adecuada de B4C, el B4C se encuentra en el l\u00edmite de grano del SiC durante la sinterizaci\u00f3n, formando parcialmente una soluci\u00f3n s\u00f3lida con el SiC, lo que reduce la capacidad del l\u00edmite de grano del SiC. El dopaje de una cantidad moderada de C libre es beneficioso para la sinterizaci\u00f3n en fase s\u00f3lida porque la superficie del SiC suele estar oxidada, lo que da lugar a la generaci\u00f3n de una peque\u00f1a cantidad de Si02, y la adici\u00f3n de una cantidad moderada de C ayuda a que se elimine la reducci\u00f3n de la pel\u00edcula de Si02 en la superficie del SiC, aumentando as\u00ed la energ\u00eda superficial Eb.
\n El sistema SiC sufre descomposici\u00f3n y sublimaci\u00f3n a 1,013x105Pa y a una temperatura superior a 1880\u00b0C. El sistema SiC contiene fases gaseosas como Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2, etc., y la diferencia de temperatura es el motor fundamental del proceso de sublimaci\u00f3n durante el crecimiento de los cristales de SiC, y todo el proceso est\u00e1 dominado por el transporte de masas. Estas diversas fases gaseosas en el sistema de SiC se unen en la madre de cristal de SiC por difusi\u00f3n, dando lugar al crecimiento de part\u00edculas de cristal de SiC. Para las muestras del sistema de ayuda a la sinterizaci\u00f3n C+B4C, la temperatura de sinterizaci\u00f3n requerida es mayor debido a la sinterizaci\u00f3n predominante en fase s\u00f3lida, y se hace pasar arg\u00f3n como atm\u00f3sfera protectora a unos 1300 \u00b0C, porque el arg\u00f3n es favorable para reducir la descomposici\u00f3n del SiC a altas temperaturas por encima de 1300 \u00b0C. Medir la calidad del cuerpo sinterizado de SiC tiene dos condiciones necesarias: baja porosidad tan densa como sea posible; el grano tan peque\u00f1o como sea posible.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}