Die Sinterung von Siliziumkarbidkeramik, die C- und B4C-Elemente als Sinterhilfsmittel enth\u00e4lt, ist eine Festphasensinterung, und der Sinterprozess wird haupts\u00e4chlich durch den Diffusionsmechanismus gesteuert, wobei die optimale Sintertemperatur 2150\u00b0C betr\u00e4gt. Der Sinterprozess ist einfach und leicht zu kontrollieren. F\u00fcgen Sie den entsprechenden Inhalt von C + B4C Sinter Zusatzstoffe von gesinterten Siliziumkarbid Sinterprozess ist einfach und leicht zu kontrollieren, keramische Sinterung im Vergleich zu den Kn\u00fcppel hat etwa 30% Volumenschrumpfung, k\u00f6nnen Sie eine h\u00f6here Dichte, mechanische Eigenschaften von Siliziumkarbid spezielle Keramik zu erhalten. Derzeit sind die h\u00e4ufig verwendeten Sinterzusatzstoffe B4C + C, BN + C, BP (Borphosphid) + C, AI + C, AIN + C und so weiter. F\u00fcgen Sie den entsprechenden Inhalt von C + B4C SiC drucklosen Sinterprozess, der Prozess f\u00fcr diese Art gesintert sic ist einfach, leicht zu kontrollieren, die Materialdichte ist h\u00f6her, die maximale Dichte von 3,169\/cm3 (relative Dichte von 98,75%); mechanischen Eigenschaften sind besser, die maximale Druckfestigkeit von 550MPa.
\n Der Siliziumkarbid-Rohstoff hat vorzugsweise einen D50-Wert von 0,5 bis 0,8 Mikron. In der Regel handelt es sich um chemisch behandeltes gr\u00fcnes Siliciumcarbid-Mikron mit einer spezifischen Oberfl\u00e4che von 20 m3\/g. Der Sauerstoffgehalt sollte so niedrig wie m\u00f6glich sein; au\u00dferdem sollte die Menge des zugesetzten B etwa 0,5% - 1,5% betragen, w\u00e4hrend die Menge des zugesetzten C vom Sauerstoffgehalt des SiC-Pulvers abh\u00e4ngt. Chemische Zusammensetzung SIC>99%, F-C<0,1, Si+SiO2<0,1, Fe2O3<0,08. Partikelform und Gr\u00f6\u00dfenzusammensetzung, die Partikelform ist nahezu kugelf\u00f6rmig, um eine m\u00f6glichst kompakte Stapelung zu erreichen.
\n Die Zugabe von B4C und C geh\u00f6rt zur Kategorie der Festphasensinterung, die h\u00f6here Sintertemperaturen erfordert. Die treibende Kraft der SiC-Sinterung ist die Differenz zwischen der Oberfl\u00e4chenenergie der Pulverteilchen (Eb) und der Taumelfl\u00e4che der K\u00f6rner des polykristallinen Sinterk\u00f6rpers (Es), was zu einer Verringerung der freien Energie des Systems f\u00fchrt. Bei Dotierung mit einer angemessenen Menge an B4C befindet sich B4C w\u00e4hrend des Sinterns an der SiC-Korngrenze und bildet teilweise eine feste L\u00f6sung mit SiC, wodurch die Korngrenzenkapazit\u00e4t von SiC verringert wird. Die Dotierung mit einer m\u00e4\u00dfigen Menge an freiem C ist f\u00fcr das Festphasensintern von Vorteil, da die SiC-Oberfl\u00e4che in der Regel oxidiert ist, was zur Bildung einer geringen Menge an Si02 f\u00fchrt, und die Zugabe einer m\u00e4\u00dfigen Menge an C dazu beitr\u00e4gt, dass die Reduktion des Si02-Films auf der SiC-Oberfl\u00e4che entfernt wird, wodurch die Oberfl\u00e4chenenergie Eb erh\u00f6ht wird.
\n Das SiC-System zersetzt sich und sublimiert bei 1,013x105Pa und einer Temperatur von \u00fcber 1880\u00b0C. Das SiC-System enth\u00e4lt Gasphasen wie Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2 usw., und der Temperaturunterschied ist der grundlegende Treiber des Sublimationsprozesses w\u00e4hrend des Wachstums der SiC-Kristalle, und der gesamte Prozess wird durch den Massentransport dominiert. Diese verschiedenen Gasphasen im SiC-System verschmelzen durch Diffusion mit der SiC-Kristallmutter, was zum Wachstum der SiC-Kristallpartikel f\u00fchrt. Bei den Proben des C+B4C-Sinterhilfssystems ist die erforderliche Sintertemperatur aufgrund der \u00fcberwiegenden Festphasensinterung h\u00f6her, und Argon wird als Schutzatmosph\u00e4re bei etwa 1300 \u00b0C eingeleitet, da Argon die Zersetzung von SiC bei hohen Temperaturen \u00fcber 1300 \u00b0C g\u00fcnstig beeinflusst. F\u00fcr die Messung der Qualit\u00e4t des SiC-Sinterk\u00f6rpers sind zwei Bedingungen erforderlich: eine m\u00f6glichst dichte Porosit\u00e4t und ein m\u00f6glichst kleines Korn.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}