La sinteritzaci\u00f3 de la cer\u00e0mica de carbur de silici que cont\u00e9 els elements C i B4C com a ajuts de sinteritzaci\u00f3 \u00e9s una sinteritzaci\u00f3 de fase s\u00f2lida, i el proc\u00e9s de sinteritzaci\u00f3 es controla principalment pel mecanisme de difusi\u00f3, amb una temperatura de sinteritzaci\u00f3 \u00f2ptima de 2150 \u00b0C. El proc\u00e9s de sinteritzaci\u00f3 \u00e9s senzill i f\u00e0cil de controlar. El proc\u00e9s de sinteritzaci\u00f3 de carbur de silici cer\u00e0mic amb un contingut adequat d'additius de sinteritzaci\u00f3 C + B4C \u00e9s senzill i f\u00e0cil de controlar. En comparaci\u00f3 amb el bloc, la sinteritzaci\u00f3 cer\u00e0mica presenta una contracci\u00f3 volum\u00e8trica d'aproximadament un 30 %, la qual cosa permet obtenir una densitat i unes propietats mec\u00e0niques m\u00e9s altes per al carbur de silici especial. Actualment, els additius de sinteritzaci\u00f3 m\u00e9s utilitzats s\u00f3n B4C + C, BN + C, BP (fosfur de bor) + C, AI + C, AIN + C, etc. L'addici\u00f3 de la quantitat adequada de C + B4C al proc\u00e9s de sinteritzaci\u00f3 sense pressi\u00f3 de SiC fa que el proc\u00e9s per a aquest tipus de SiC sinteritzat sigui senzill i f\u00e0cil de controlar, la densitat del material \u00e9s m\u00e9s alta, amb una densitat m\u00e0xima de 3,169\/cm3 (densitat relativa del 98,75%); les propietats mec\u00e0niques s\u00f3n millors, amb una resist\u00e8ncia a la compressi\u00f3 m\u00e0xima de 550 MPa.
\n La mat\u00e8ria primera de carbur de silici \u00e9s preferiblement una micropols \u00fanica amb un valor D50 de 0,5\u20130,8 micr\u00f2metres. Normalment s\u00f3n micr\u00f2ns de carbur de silici verd tractats qu\u00edmicament amb una superf\u00edcie espec\u00edfica de 20 m3\/g. I el contingut d'oxigen hauria de ser tan baix com fos possible; a m\u00e9s, la quantitat de B afegida s'hauria de triar al voltant de 0,5% \u2013 1,5%, mentre que la quantitat de C afegida dep\u00e8n del nivell de contingut d'oxigen en el pols de SiC. Composici\u00f3 qu\u00edmica: SiC > 99%, F-C < 0,1, Si + SiO2 < 0,1, Fe2O3 < 0,08. Composici\u00f3 de forma i mida de les part\u00edcules: la forma de les part\u00edcules \u00e9s gaireb\u00e9 esf\u00e8rica per tal d'aconseguir l'apilament m\u00e9s compacte.
\n L'addici\u00f3 de B4C i C pertany a la categoria de sinteritzaci\u00f3 en fase s\u00f2lida, que requereix temperatures de sinteritzaci\u00f3 m\u00e9s altes. La for\u00e7a motriu de la sinteritzaci\u00f3 de SiC \u00e9s la difer\u00e8ncia entre l'energia superficial de les part\u00edcules de pols (Eb) i la superf\u00edcie oscil\u00b7lant dels graons del cos policristal\u00b7l\u00ed sinteritzat (Es), la qual cosa condueix a una disminuci\u00f3 de l'energia lliure del sistema. Dopada amb una quantitat adequada de B4C, la B4C es troba a la interf\u00edcie de gra de SiC durant la sinteritzaci\u00f3, formant parcialment una soluci\u00f3 s\u00f2lida amb SiC, i aix\u00ed reduint la capacitat de la interf\u00edcie de gra de SiC. La dopatge amb una quantitat moderada de C lliure \u00e9s benefici\u00f3s per a la sinteritzaci\u00f3 en fase s\u00f2lida perqu\u00e8 la superf\u00edcie de la SiC sol estar oxidada, la qual cosa resulta en la generaci\u00f3 d'una petita quantitat de SiO2, i l'addici\u00f3 d'una quantitat moderada de C ajuda a eliminar la pel\u00b7l\u00edcula de SiO2 de la superf\u00edcie de la SiC, augmentant aix\u00ed l'energia superficial Eb.
\n El sistema SiC experimenta descomposici\u00f3 i sublimaci\u00f3 a 1,013\u00b710^5 Pa i a una temperatura superior a 1880 \u00b0C. El sistema SiC cont\u00e9 fases gasoses com Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2, etc., i la difer\u00e8ncia de temperatura \u00e9s el motor fonamental del proc\u00e9s de sublimaci\u00f3 durant el creixement dels cristalls de SiC, i tot el proc\u00e9s est\u00e0 dominat pel transport de massa. Aquestes diverses fases gasoses en el sistema SiC coalesceixen sobre la mare de cristall de SiC per difusi\u00f3, la qual cosa provoca el creixement de part\u00edcules de cristall de SiC. Per a les mostres del sistema d'ajuda a la sinteritzaci\u00f3 C+B4C, la temperatura de sinteritzaci\u00f3 necess\u00e0ria \u00e9s m\u00e9s alta a causa de la sinteritzaci\u00f3 predominantment en fase s\u00f2lida, i s'introdueix arg\u00f3 com a atmosfera protectora a uns 1300 \u00b0C, perqu\u00e8 l'arg\u00f3 \u00e9s favorable per a reduir la descomposici\u00f3 del SiC a altes temperatures superiors a 1300 \u00b0C. La mesura de la qualitat del cos sinteritzat de SiC t\u00e9 dues condicions necess\u00e0ries: una porositat baixa, \u00e9s a dir, tan dens com sigui possible; i un gra tan petit com sigui possible.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/ca\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}