Silikon karbid keramika iki yolla formalaşır: reaksiya bağlanması və sinterləşmə. Hər bir formalaşdırma üsulu son mikroyapıya böyük təsir göstərir.
Reaksiya ilə birləşdirilmiş silikon karbid keramika (RBSIC və ya SISIC) SiC və karbon qarışıqlarından hazırlanmış sıxlaşdırılmış bloklara maye silikonun infiltrasiyası ilə hazırlanır. Silikon karbonla reaksiya verərək əlavə SiC əmələ gətirir və ilkin SiC hissəciklərini birləşdirir.
Sinterlənmiş silikon karbid keramika (SSiC) saf SiC tozundan oksid olmayan sinter köməkçiləri ilə hazırlanır. Ənənəvi keramika formalaşdırma prosesləri tətbiq edilir və material inert atmosferdə 2000ºC-ə qədər və ya daha yüksək temperaturda sinterlənir.
Silikon karbidin (SiC) hər iki forması yüksək aşınma müqavimətinə və yaxşı mexaniki xüsusiyyətlərə, o cümlədən yüksək temperaturda möhkəmlik və termal şok müqavimətinə malikdir.
Azerbaijani 
English 
Arabic 
Bulgarian 
Czech 
Danish 
German 
Greek 
Spanish 
Finnish 
French 
Hungarian 
Indonesian 
Italian 
Japanese 
Korean 
Lithuanian 
Norwegian 
Dutch 
Polish 
Portuguese (Portugal) 
Portuguese (Brazil) 
Romanian 
Russian 
Slovak 
Slovenian 
Swedish 
Turkish 
Ukrainian 
Chinese 
Albanian 
Aragonese 
Armenian 
Bosnian 
Catalan 
Croatian