SiC-nin strukturu və kristallaşması

SiC kovalent bağlanmış bir birləşmədir, Si–C arasında güclü bağa malikdir, almaz strukturuna malikdir və 75 kristal forması var. Onun kristal torunun əsas struktur vahidi kovalent bağlanmış [SiC4] və [CSi4] tetraedrik koordinasiyaya malikdir və bu tetraedirlər orta kənarları paylaşan düzlü qatlara yığılır; qatların bir ucbucağı növbəti üst-üstə qoyulmuş tetraedrə birləşdirildiyindən, əmələ gələn skeletin istənilən nöqtəsində dördlü koordinasiyanı təmin etmək üçün hər küncdə dörd tetraedr birləşir. SiC kristallarının müxtəlif kristal formaları eyni Si-C təbəqələrinin fərqli sıralamada yığılması ilə əmələ gəlir. Əsas kristal formalar 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC və 15R-SiC-dir. C, H və R simvolları müvafiq olaraq kubik, altıuclu və rombokubik heksakubik strukturları, C, H və R-dən əvvəlki rəqəmlər isə c-oxu boyunca təkrarlanan dövrlərə malik qatların sayını göstərir. Bu kristal tiplərinin ən vacibləri α-SiC və β-SiC-dir: birincisi yüksək temperaturda sabit, ikincisi isə aşağı temperaturda sabit strukturdur. β-SiC-dən α-SiC-ə keçid 2100°C-də başlayır və 2400°C-də sürətlə baş verir. SiC-nin ərimə nöqtəsi yoxdur və 0,1 MPa təzyiqdə parçalanma temperaturu 2830°C-dir.
Silikon karbid keramika üçün SiC kristal quruluşundakı vahid hüceyrə, mərkəzində Si atomu olan və ətrafında C atomları yerləşən eyni Si-C tetraedirlərdən ibarətdir. Bütün quruluşlar yığılmış [SiC4] tetraedirlərdən ibarətdir və yalnız onların paralel və ya antiparalel şəkildə birləşib-birləşməməsindən fərqlənir. Təmiz SiC rəngsiz və şəffafdır, ümumiyyətlə çirklər səbəbindən qara olur, sinterləmədən əvvəl qalıq C çıxarıldıqda isə yaşıl SiC əldə etmək olar.