A sinterizaci\u00f3n d'a ceramica de carburo de silicio que contiene os elementos C y B4C como aditivos de sinterizaci\u00f3n ye una sinterizaci\u00f3n de fase solida, y o proceso de sinterizaci\u00f3n se controla mas que mas por o mecanismo de difusi\u00f3n, con una temperatura de sinterizaci\u00f3n optima de 2150 \u00b0C. O proceso de sinterizaci\u00f3n ye simple y f\u00e1cil de controlar. O proceso de sinterizaci\u00f3n d'o carburo de silicio ceramico con un conteniu adecuau d'aditivos de sinterizaci\u00f3n C + B4C ye simple y f\u00e1cil de controlar. A sinterizaci\u00f3n d'a ceramica presenta una contracci\u00f3n volumetrica d'alto u baixo un 30% en comparanza con a pieza bruta, o que permite obtener una mayor densidat y as propiedaz mecanicas d'as ceramicas especials de carburo de silicio. En l'actualidat, os aditivos de sinterizaci\u00f3n mas emplegaus son B4C + C, BN + C, BP (fosfuro de boro) + C, AI + C, AIN + C y atros. Adhibindo o conteniu adecuau de C + B4C en o proceso de sinterizaci\u00f3n sin presi\u00f3n de SiC, o proceso pa iste tipo de SiC sinterizau ye simple, f\u00e1cil de controlar, a densidat d'o material ye mas alta, con una densidat maxima de 3,169\/cm3 (densidat relativa de 98,75%); as propiedaz mecanicas son millors, con una resistencia a la compresi\u00f3n maxima de 550MPa.
\n A materia prima de carburo de silicio ye preferiblement un micropolvo unico con un valor D50 de 0,5\u20130,8 micras. Normalment son micronas de carburo de silicio verde tractadas quimicament con una aria de superficie especifica de 20 m3\/g. Y o conteniu d'oxicheno habr\u00eda d'estar o mas baixo posible; am\u00e1s, a cantidat de B adhibida habr\u00eda de trigar-se arredol de 0.5% \u2013 1.5%, mientres que a cantidat de C adhibida pende d'o livel de conteniu d'oxicheno en o polvo de SiC. Composici\u00f3n quimica SiC>99%, F-C<0.1, Si+SiO2<0.1, Fe2O3<0.08. Composici\u00f3n de forma y grandaria d'as particlas, a forma d'as particlas ye cuasi esferica ta aconseguir l'empilamiento mas compacto.
\n L'adici\u00f3n de B4C y C perteneixe a la categor\u00eda de sinterizaci\u00f3n en fase solida, que requiere temperaturas de sinterizaci\u00f3n mas altas. A fuerza motriz d'a sinterizaci\u00f3n d'o SiC ye: a diferencia entre a enerch\u00eda superficial d'as particulas de polvo (Eb) y a superficie de bambaneo d'os grans d'o cuerpo policristalino sinterizau (Es), o que leva a una reducci\u00f3n d'a enerch\u00eda libre d'o sistema. Dopato con una cantidat adecuada de B4C, o B4C se troba en a muga de grano d'o SiC durant o sinterizau, formando parcialment una soluci\u00f3n solida con o SiC, reducindo asinas a capacidat d'a muga de grano d'o SiC. A dopadura con una cantidat moderada de C libre ye beneficiosa pa o sinterizau en fase solida porque a superficie d'o SiC gosa estar oxidada, o que da como resultau a cheneraci\u00f3n d'una chicota cantidat de SiO2, y l'adici\u00f3n d'una cantidat moderada de C aduya a eliminar a reducci\u00f3n d'a capa de SiO2 en a superficie d'o SiC, augmentando asinas l'enerch\u00eda superficial Eb.
\n O sistema SiC se descomp\u00f3n y sublima a 1,013x10^5 Pa y una temperatura superior a 1880 \u00b0C. O sistema SiC contiene fases de gas como Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2, y asinas succesivament, y a diferencia de temperatura ye o motor fundamental d'o proceso de sublimaci\u00f3n durant o creiximiento d'os cristals de SiC, y tot o proceso ye dominau por o transporte de masa. Istas diversas fases de gas en o sistema SiC se coalesen sobre a matriz de cristal de SiC por difusi\u00f3n, o que prevoca o creiximiento de particlas de cristal de SiC. Pa las muestras d'o sistema d'aduya a la sinterizaci\u00f3n C+B4C, a temperatura de sinterizaci\u00f3n necesaria ye mas alta a causa d'a sinterizaci\u00f3n predominantment en fase solida, y s'introduce arg\u00f3n como atmosfera protectora a uns 1300 \u00b0C, porque l'arg\u00f3n ye favorable pa reducir a descomposici\u00f3n d'o SiC a altas temperaturas por dencima d'os 1300 \u00b0C. A mesura d'a calidat d'o cuerpo sinterizau de SiC tiene dos condicions necesarias: una porosidat baixa, o mas densa posible; y un grano o mas chicot posible.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
The sintering of silicon carbide ceramic containing C and B4C elements as sintering aids is solid-phase sintering, and the sintering process is mainly controlled by the diffusion mechanism, with an optimum sintering temperature of 2150\u00b0C. The sintering process is simple and easy to control. Add the appropriate content of C + B4C sintering additives […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[30],"tags":[],"class_list":["post-574","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=574"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":577,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/574\/revisions\/577"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=574"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=574"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbide.net\/an\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=574"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}