Sinterización de fase solida de carburo de silicio sinterizau a presión atmosferica

         A sinterización d'a ceramica de carburo de silicio que contiene os elementos C y B4C como aditivos de sinterización ye una sinterización de fase solida, y o proceso de sinterización se controla mas que mas por o mecanismo de difusión, con una temperatura de sinterización optima de 2150 °C. O proceso de sinterización ye simple y fácil de controlar. O proceso de sinterización d'o carburo de silicio ceramico con un conteniu adecuau d'aditivos de sinterización C + B4C ye simple y fácil de controlar. A sinterización d'a ceramica presenta una contracción volumetrica d'alto u baixo un 30% en comparanza con a pieza bruta, o que permite obtener una mayor densidat y as propiedaz mecanicas d'as ceramicas especials de carburo de silicio. En l'actualidat, os aditivos de sinterización mas emplegaus son B4C + C, BN + C, BP (fosfuro de boro) + C, AI + C, AIN + C y atros. Adhibindo o conteniu adecuau de C + B4C en o proceso de sinterización sin presión de SiC, o proceso pa iste tipo de SiC sinterizau ye simple, fácil de controlar, a densidat d'o material ye mas alta, con una densidat maxima de 3,169/cm3 (densidat relativa de 98,75%); as propiedaz mecanicas son millors, con una resistencia a la compresión maxima de 550MPa.
         A materia prima de carburo de silicio ye preferiblement un micropolvo unico con un valor D50 de 0,5–0,8 micras. Normalment son micronas de carburo de silicio verde tractadas quimicament con una aria de superficie especifica de 20 m3/g. Y o conteniu d'oxicheno habría d'estar o mas baixo posible; amás, a cantidat de B adhibida habría de trigar-se arredol de 0.5% – 1.5%, mientres que a cantidat de C adhibida pende d'o livel de conteniu d'oxicheno en o polvo de SiC. Composición quimica SiC>99%, F-C<0.1, Si+SiO2<0.1, Fe2O3<0.08. Composición de forma y grandaria d'as particlas, a forma d'as particlas ye cuasi esferica ta aconseguir l'empilamiento mas compacto.
        L'adición de B4C y C perteneixe a la categoría de sinterización en fase solida, que requiere temperaturas de sinterización mas altas. A fuerza motriz d'a sinterización d'o SiC ye: a diferencia entre a enerchía superficial d'as particulas de polvo (Eb) y a superficie de bambaneo d'os grans d'o cuerpo policristalino sinterizau (Es), o que leva a una reducción d'a enerchía libre d'o sistema. Dopato con una cantidat adecuada de B4C, o B4C se troba en a muga de grano d'o SiC durant o sinterizau, formando parcialment una solución solida con o SiC, reducindo asinas a capacidat d'a muga de grano d'o SiC. A dopadura con una cantidat moderada de C libre ye beneficiosa pa o sinterizau en fase solida porque a superficie d'o SiC gosa estar oxidada, o que da como resultau a cheneración d'una chicota cantidat de SiO2, y l'adición d'una cantidat moderada de C aduya a eliminar a reducción d'a capa de SiO2 en a superficie d'o SiC, augmentando asinas l'enerchía superficial Eb.
         O sistema SiC se descompón y sublima a 1,013x10^5 Pa y una temperatura superior a 1880 °C. O sistema SiC contiene fases de gas como Si, Si2, Si3, C, C2, C3, C4, C5, SiC, Si2C, SiC2, y asinas succesivament, y a diferencia de temperatura ye o motor fundamental d'o proceso de sublimación durant o creiximiento d'os cristals de SiC, y tot o proceso ye dominau por o transporte de masa. Istas diversas fases de gas en o sistema SiC se coalesen sobre a matriz de cristal de SiC por difusión, o que prevoca o creiximiento de particlas de cristal de SiC. Pa las muestras d'o sistema d'aduya a la sinterización C+B4C, a temperatura de sinterización necesaria ye mas alta a causa d'a sinterización predominantment en fase solida, y s'introduce argón como atmosfera protectora a uns 1300 °C, porque l'argón ye favorable pa reducir a descomposición d'o SiC a altas temperaturas por dencima d'os 1300 °C. A mesura d'a calidat d'o cuerpo sinterizau de SiC tiene dos condicions necesarias: una porosidat baixa, o mas densa posible; y un grano o mas chicot posible.