teknologi for sintret silisiumkarbid

silisiumkarbidkeramikk blir mer og mer brukt på grunn av deres utmerkede styrke ved høy temperatur, slitestyrke, korrosjonsbestandighet og motstand mot termisk sjokk. SiC-keramikk spiller en stadig viktigere rolle innen materialfeltet. Derfor haster det med å utføre ytterligere forskning på SiC-materialer for å redusere produksjonskostnadene, forenkle produksjonsprosessene og fremme utviklingen av SiC-keramiske produkter samtidig som de utmerkede egenskapene deres kontinuerlig forbedres.

sintret silisiumkarbid regnes som den mest lovende sintringsmetoden for SiC-sintring. silisiumkarbidkeramikk med stor størrelse og kompleks form kan fremstilles ved atmosfærisk sintringsprosess. GE Corporation i USA har vedtatt følgende tiltak: β - Tilsetning av bor og karbon i SiC, sintring ved over 2000 ℃ i inert atmosfære, og oppnå sintret silisiumkarbid med tetthet høyere enn 98% ved 2020 ℃. Med Y2O3 og Al2O3 som sintringshjelpemidler og YAG (Y3Al5O12) med lavt smeltepunkt som basiskomponent, avfyrte Shanghai Institute of Silicate, Chinese Academy of Sciences silisiumkarbidkeramikk med bøyestyrke og bruddseighet på henholdsvis 707 og 10,7 ved 1850 ℃. Liu Baoying fra Shandong Silicate Research and Design Institute la til passende mengde Al2O3 og Y2O3 som sintringstilsetningsstoffer, og laget fine SiC-komposittkeramiske materialer med en relativ tetthet på 97% ved 1780 ℃ ved å bruke fugestøpeprosessen, som kan oppfylle behovene til industriell produksjon av mekaniske tetninger og slitesterk keramikk. Men så langt er forskningen om sintret silisiumkarbid ikke veldig grundig, noe som må utdypes ytterligere.