ponovno kristalizirani silicijev karbid

Grobne sirovine i fini SiC prahovi formiraju se pod zaštitom visoke temperature i određenog tlaka, potom se rekristaliziraju vakuumskom sinterizacijom isparavanjem finih SiC prahova i koagulacijom u grube SiC čestice. Tako dobivamo rekristalizirani silicijev karbid.Zbog svoje visoke čistoće (SiC > 99,51 TP3T) i nedostatka međufazne vezne faze, ima izvrsna mehanička svojstva pri visokim temperaturama, a maksimalna radna temperatura može doseći 1700 °C. Rekristalizirani silicijev karbid ima dobru otpornost na visoke temperature u keramičkim proizvodima, koja se povećava s povećanjem...

Pročitaj više